用X射線光電子能譜測定InP(100)清潔表面的原子濃度比

【摘要】：根據(jù) XPS的強度測量和作者先前確定的原子靈敏度因子,測定了InP(100)表面的In/P原子比。實驗結(jié)果表明氬離子轟擊有擇優(yōu)濺射作用,在1keV刻蝕能量下,In/P濃度比為2.2,隨氬離子能量增加而單調(diào)上升。樣品在超高真空中300℃附近退火30分鐘后,表面In/P比降為1.2,接近于體內(nèi)化學計量比的值。從XPS強度的角度關(guān)系和In 3d_(5/2)結(jié)合能的化學位移中可以推測,離子轟擊造成In—P化學鍵的破裂,在退火后又重新鍵合,使得表面成為有序結(jié)構(gòu),而最外層原子是富銦的。 【作者單位】： 復旦大學物理系 復旦大學物理系 復旦大學物理系
【關(guān)鍵詞】： 清潔表面 氬離子刻蝕 原子濃度 X射線光電子能譜 原子比 擇優(yōu)濺射 原子層 近表面 原子靈敏度因子 x射線光電子能譜
【正文快照】： —L口 InP是一種在微波器件、光電器件和高速集成電路制造方面很有前途的半導體,其器件特性在很大程度上同材料的表面狀況有關(guān).從原子清潔表面出發(fā),研究有金屬覆蓋或氣體(如氧)吸附后發(fā)生的結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的變化,將是從根本上弄清MIs或Mtis界面特性的有效途徑.在‘InP的三個低

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