GaAs_(1-x)P_x(110)清潔表面結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的研究
GaAs_(1-x)P_x(110)清潔表面結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的研究【摘要】:本文用有限集團(tuán)的EHT方法研究了GaAs_(1-x)P_x(110)清潔表面的弛豫和電子態(tài)。出現(xiàn)三元合金的表
【關(guān)鍵詞】: 清潔表面 GaAs 禁帶 表面電子態(tài) 本征表面態(tài) 弛豫模型 表面弛豫 原子 三元合金 導(dǎo)帶
【正文快照】: 近年來(lái),由于室溫連續(xù)可調(diào)半導(dǎo)體激光器的研制以及集成光學(xué)的發(fā)展,對(duì)三元以及四元III—V族化合物半導(dǎo)體材料的研究愈來(lái)愈受到人們的重視.三元合金GaAs卜。P,就是一個(gè)非常重要的材料.通過(guò)控制配比z,可以改變材料的禁帶寬度,也就可以使發(fā)光從紅外到綠色范圍內(nèi)進(jìn)行變化;同時(shí)通過(guò)
您可以在本站搜索以下學(xué)術(shù)論文文獻(xiàn)來(lái)了解更多相關(guān)內(nèi)容
用贗勢(shì)法計(jì)算四元合金In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的能帶 陸奮,張開(kāi)明
Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生長(zhǎng)與性質(zhì)研究 楊保華,王占國(guó),萬(wàn)壽科,龔秀英,林蘭英
EHMO研究乙烯氧化反應(yīng)的銀-金合金催化劑 謝向方,駱薇薇,謝瓔,江逢霖
氧在銀-金合金表面上吸附的準(zhǔn)經(jīng)典軌跡法研究 謝向方,駱薇薇,江逢霖
InP襯底上GaInAsSb的液相外延生長(zhǎng)及其性質(zhì)的研究 龔秀英,K.S.Lchner,P.Zwicknagl,E.Bauser
超晶格GaAs/(GaAl)As(100)和GaAs/Ge(100)的電子結(jié)構(gòu) 沈丁立,陸奮,張開(kāi)明
金屬及其二元合金鍍層耐蝕性能的理論研究 葛華才;黃定啟;謝粦祥;
銀-金合金催化乙烯氧化反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)研究 Ⅰ.氧在銀-金合金表面上吸附的LEPS勢(shì)能面 謝向方;駱薇薇;江逢霖;
計(jì)算Ⅲ—Ⅴ族三元和四元混晶晶格常數(shù)的一個(gè)經(jīng)驗(yàn)公式 龔秀英,高風(fēng)升
Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體MQW平面波導(dǎo)光器件的研究 蔡純
數(shù)據(jù)挖掘與量化計(jì)算在鈣鈦礦體系QSPR研究中的應(yīng)用 劉旭
雙電子層隧道晶體管THz探測(cè)器的研究 黃亞明
堿金屬在GaAs(110)表面上的吸附 喬皓,張開(kāi)明
GaAs(110)面的電子結(jié)構(gòu) 張開(kāi)明,葉令
GaAs(110)面的緊束縛計(jì)算 徐永年
靜壓下GaAs_(1-x)P_x:N(x≤0.88)中N等電子陷阱的束縛激子發(fā)光 糜?xùn)|林,鄭健生,顏炳章,李國(guó)華,汪兆平,韓和相
GaAs IMSM光電探測(cè)器及其與FET的單片集成研究 張永剛,林瑜,陳慧英,潘慧珍
GaAs摻雜超晶格的PR譜研究 趙明山;王若楨;林振金;
分子束外延生長(zhǎng)GaAs/Si異質(zhì)結(jié)電學(xué)特性的研究 周潔,盧勵(lì)吾,韓志勇,梁基本
GaAs_(1-x)Px:N中氮濃度的光吸收法測(cè)量 俞容文,鄭健生,顏炳章
GaAs中的離子注入技術(shù) 李國(guó)輝,姬成周,劉伊犁,羅晏,韓德俊
變摻雜GaAs光電陰極的研究進(jìn)展 陳懷林;牛軍;常本康;
Study of the Performance on Planar GaAs Radio Frequency Diode Mixer Device
In_xGa_(1-x)As/GaAs自組織量子點(diǎn)材料、物理與器件 牛智川;王曉東;汪輝;孔云川;瀾清;周大勇;苗振華;封松林;
GaAs基異變量子阱 朱巖;倪海橋;王海莉;賀繼方;李密峰;尚向軍;牛智川;
中間包層對(duì)聲子晶體禁帶結(jié)構(gòu)的影響 華佳;張舒;程建春;
晶格失配GaAs太陽(yáng)電池的漸變緩沖層生長(zhǎng)技術(shù)研究 劉如彬;王帥;孫強(qiáng);孫彥錚;
新一代高速光通信網(wǎng)絡(luò)用低成本、低功耗、高性能GaAs基1.3微米量子點(diǎn)激光器的研究 季海銘;徐鵬飛;谷永先;楊曉光;楊濤;
MIp~+-Al_xGa_(1-x)As/p-n-n~+-GaAs太陽(yáng)電池的理論I-V特性 王履芳;涂潔磊;陳庭金;
摻硅水平砷化鎵單晶的產(chǎn)業(yè)化 武壯文;
纖鋅礦結(jié)構(gòu)GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究 舒?zhèn)?張霞;黃輝;黃永清;任曉敏;
Fe丨GaAs丨Fe隧道結(jié)的磁電阻研究 任俊;徐鵬翔;夏鈳;
四十六所:以GaAs生產(chǎn)為主 王小慶
禁帶物品不上機(jī) 機(jī)場(chǎng)幫你寄快遞 記者 許曉泓 通訊員 邢意和
禁帶寵物自行車乘地鐵 記者 朱雪嬌
香港嚴(yán)禁帶蘭花入境 曉章
“禁帶飲料進(jìn)商場(chǎng)”之說(shuō)遭質(zhì)疑 本報(bào)記者 王建新
砷化鎵集成電路應(yīng)用前景展望 青山
飯店禁帶酒水:與國(guó)際接軌? 徐小帆
禁帶酒水一定不合法嗎? 孫微山
中學(xué)禁帶手機(jī)引熱議 學(xué)校應(yīng)多些引導(dǎo)少些強(qiáng)制 本報(bào)記者 李曉玉
砷化鎵產(chǎn)業(yè):中國(guó)后來(lái)居上不是夢(mèng) 張小明
鐵磁性半金屬CrO_2表面的幾何結(jié)構(gòu)和電子態(tài)的第一性原理研究 洪峰
GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)中載流子輸運(yùn)規(guī)律研究 屈光輝
高功率GaAs光電導(dǎo)開(kāi)關(guān)的特性與擊穿機(jī)理研究 田立強(qiáng)
GaAs光電陰極智能激活與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究 楊智
變摻雜GaAs光電陰極特性及評(píng)估研究 牛軍
GaAs、GaSb基材料生長(zhǎng)及其器件研究 李冰寒
激光誘導(dǎo)的GaAs和GaN等離子體特性研究 郭娟
基于受激拉曼散射效應(yīng)的窄帶GaAs太赫茲輻射源及新型太赫茲探測(cè)技術(shù)的理論研究 王卓
基于GaAs太陽(yáng)能電池的NaYF_4稀土摻雜耦合對(duì)下轉(zhuǎn)換的研究 王鵬程
第三代像增強(qiáng)器研究 李曉峰
新型MIp~+-Al_xGa_(1-x)As/p-GaAs/n-GaAs/n~+-GaAs太陽(yáng)電池 楊燮森
大直徑SI-GaAs中缺陷的微觀特性及其分布 趙彥橋
摻雜GaAs電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的理論研究 宿磊
GaAs材料光電性質(zhì)第一性原理研究 陳啟燊
GaAs高頻大功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì) 康建磊
新型GaAs基和Si基光電子材料系的研究 楊躍
納米砷化鎵(GaAs)薄膜的電化學(xué)制備與研究 劉晶
GaAs材料及GaAs器件性能對(duì)衛(wèi)星通信小型站接收系統(tǒng)的影響 李嘉席
GaAs毫米波寬帶功率MMIC 王生國(guó)
諧振增強(qiáng)n型GaAs遠(yuǎn)紅外同質(zhì)結(jié)探測(cè)器的性能優(yōu)化 鄭美妹
-
Ag納米蛾膜結(jié)構(gòu)陣列對(duì)薄膜硅太陽(yáng)能電池光吸收的影響2024-08-19
-
機(jī)械產(chǎn)品的表面清潔度2024-08-18
-
太陽(yáng)能電池工作原理與特性(上)2024-08-18
-
全新太陽(yáng)能電池板——一種實(shí)現(xiàn)太陽(yáng)能電動(dòng)自行車的新裝置2024-08-18
-
非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的環(huán)境影響分析2024-08-18
-
電極材料對(duì)聚合物太陽(yáng)能電池光學(xué)性能的影響2024-08-18
-
煤孔徑結(jié)構(gòu)以及表面特性對(duì)煤吸附甲烷性能影響的研究2024-08-18
-
SO_2對(duì)甲烷在金屬鐵表面還原NO的反應(yīng)影響2024-08-18
-
等離子旋轉(zhuǎn)電極法制取清潔鈦合金粉末2024-08-18
-
基于苯胺增塑的聚乙二醇固態(tài)電解質(zhì)染料敏化太陽(yáng)能電池2024-08-18
-
一種新型含有噁二唑單元的有機(jī)太陽(yáng)能電池染料敏化劑的合成2024-08-18
-
太陽(yáng)能電池I-V特性測(cè)試系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)2024-08-18
-
鎳清潔表面制備中去除碳的一種簡(jiǎn)便方法2024-08-18
-
手持式烘筒表面清潔器2024-08-18
-
用從頭計(jì)算研究煤表面與甲烷分子相互作用2024-08-18