硒化溫度對(duì)銅銦鎵硒太陽(yáng)能電池吸收層性能的影響

【摘要】：用預(yù)制膜硒化法制備銅銦硒系太陽(yáng)能電池的吸收層CIGSe薄膜,用X射線熒光分析(XRF)、掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射分析(XRD)和拉曼譜分析(Raman)以及基于霍爾效應(yīng)分別測(cè)定或觀測(cè)CIGSe薄膜的成分、表面形貌、結(jié)構(gòu)以及電阻率和少數(shù)載流子遷移率,研究了在近玻璃軟化點(diǎn)520-560℃區(qū)間硒化溫度對(duì)薄膜成分、表面形貌、結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明:當(dāng)硒化溫度在520-560℃時(shí),CIGSe薄膜的成分和表面形貌保持不變,但是隨著硒化溫度的升高CIGSe薄膜中有序缺陷相(ODC)和Cu-Se短路相增加,提高了薄膜內(nèi)的缺陷濃度,使薄膜的少數(shù)載流子遷移率降低、電阻率增大。 【作者單位】： 清華大學(xué)機(jī)械工程系;
【關(guān)鍵詞】： 無(wú)機(jī)非金屬材料 太陽(yáng)能電池 銅銦鎵硒 預(yù)制膜硒化 硒化溫度 ODC相 Cu-Se相
【基金】：國(guó)家863項(xiàng)目先進(jìn)能源技術(shù)領(lǐng)域2007AA05Z461資助項(xiàng)目~~
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 自被發(fā)現(xiàn)可作為光伏材料[l]以來(lái)，clse系材料(Culnse:、CuGaseZ、CulnS:、Cu(Inl一二Ga二)(Sel一，S，)2以其直接帶隙、禁帶寬度可調(diào)、制作成本低、光吸收系數(shù)高和太陽(yáng)電池穩(wěn)定性高【2一6}等優(yōu)點(diǎn)成為研究的熱點(diǎn)，是最具開發(fā)潛力的新一代太陽(yáng)能電池材料。CISe系材料的制備方法

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