氧碳對太陽能級直拉單晶硅品質(zhì)影響初探

【摘要】：氧和碳作為太陽能級直拉單晶硅的非金屬雜質(zhì),在晶體中可形成微缺陷,影響晶體的電阻率,造成后期制作的太陽能電池性能不穩(wěn)定。本文主要對太陽能級直拉單晶硅生產(chǎn)制備過程中氧碳雜質(zhì)的形成原因及其對太陽能級直拉單晶硅品質(zhì)造成的影響進(jìn)行分析研究,并提出了一些在實(shí)際生產(chǎn)中控制氧碳含量的辦法。 【作者單位】： 青海華硅能源有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 太陽能 直拉單晶硅 氧碳含量
【分類號】：TN304.12
【正文快照】： 1太陽能級直拉單晶硅中的雜質(zhì)及形成原因1.1太陽能級直拉單晶硅中的雜質(zhì)太陽能級直拉單晶硅中所含雜質(zhì)有三類。一類是金屬雜質(zhì),如銅、鐵、鎳等,這些雜質(zhì)在晶體中會引起晶格畸變,并在硅晶體中形成多個雜質(zhì)能級,起到復(fù)合中心的作用,降低單晶硅的少數(shù)載流子壽命,因此這類金屬雜

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