太陽能電池用多晶硅晶界的EBSD研究

【摘要】：利用電子背散射衍射(Electron back scattered diffraction,EBSD)對太陽能電池用多晶硅的晶界進(jìn)行了研究。結(jié)果表明,太陽能電池用多晶硅中的大部分晶界為大角度晶界,且以特殊晶界Σ3和普通晶界為主,同時還存在少量小角度晶界。在制作太陽能電池用多晶硅時,重點要降低小角度晶界和Σ3的含量。 【作者單位】： 北京有色金屬研究總院分析測試技術(shù)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 太陽能電池 多晶硅 電子背散射衍射 晶界 Σ
【基金】：科技部創(chuàng)新方法工作專項項目(2010IM031300)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 0引言硅是一種良好的半導(dǎo)體材料,其儲量豐富,是地球上儲存量第二大的元素,而且性能穩(wěn)定、無毒,因此成為太陽能電池研究開發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用中的主體材料。多晶硅電池材料與單晶硅的主要區(qū)別是不同晶向的單晶晶粒間存在晶粒晶界。這一缺點曾經(jīng)阻礙了多晶硅電池的研制。從制作成本

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