退火對冶金法太陽能級多晶硅中缺陷影響的研究

【摘要】：研究了不同條件下退火對冶金法太陽能級多晶硅錠不同部位的位錯、晶界及擇優(yōu)生長取向的影響。利用金相顯微鏡,電子背散射衍射和X射線衍射儀分別對退火前后多晶硅錠的位錯、晶界和擇優(yōu)生長取向的變化規(guī)律進行表征,結(jié)果表明:退火前后多晶硅中的位錯密度大小始終是中部底部頂部。1100℃下隨著保溫時間的延長,多晶硅中的位錯密度逐漸減小,到5.0h后達到回復(fù)的極限程度;小角度晶界比例不斷減小,直至消失;大角度晶界中R型晶界比例先增加后減小,CSL晶界比例緩慢增加,孿晶晶界Σ3比例呈穩(wěn)定地增加,到退火5.0h后,其比例約占30%;主峰〈111〉織構(gòu)峰強一直增加,〈311〉織構(gòu)峰強則是逐漸減小至零,而〈511〉、〈531〉、〈620〉織構(gòu)強度則是先減小、后增大、最后再減小,退火保溫5.0h后擇優(yōu)生長取向達到高度一致。另外,還得到了不同溫度下的極限回復(fù)程度。 【作者單位】： 云南大學物理科學與技術(shù)學院;浙江大學硅材料國家重點實驗室;昆明理工大學真空冶金國家工程實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 多晶硅 退火 位錯密度 晶界
【基金】：國家自然科學基金委員會-云南省人民政府聯(lián)合基金(U1137601) 教育部科學技術(shù)研究重點項目(212159) 浙江大學硅材料國家重點實驗室開放基金(SKL2009-8)
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 0引言鑄造多晶硅在定向凝固長晶鑄錠階段,由于地球重力等的作用,硅晶體在生長時很難保證固液面呈水平狀,因此,在硅晶體中會形成大量細小的晶粒,從而產(chǎn)生晶界;另外,由于散熱不均勻以及硅錠與石英坩堝熱膨脹系數(shù)不同等因素會導致硅錠中產(chǎn)生大量熱應(yīng)力,從而產(chǎn)生大量位錯[1]。同樣

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