硅太陽能電池鋁背場P~+層的模擬優(yōu)化

【摘要】：針對P型襯底硅太陽電池,以生產(chǎn)線上的實(shí)驗(yàn)結(jié)果為依據(jù),通過數(shù)值計(jì)算,模擬了鋁背場P+層摻雜濃度分布及其深度對太陽能電池電性能的影響。分析了鋁背場P+層在不同摻雜濃度和深度下電性能的變化特征。結(jié)果表明對于生產(chǎn)線上的電池,P+層深度為5～7μm的電池片,最佳摻雜濃度為7×1018～9×1018cm-3,當(dāng)摻雜濃度大于5×1019cm-3,P+層最佳深度將小于1μm。 【作者單位】： 南京大學(xué)物理學(xué)院光伏工程中心南京大學(xué)微結(jié)構(gòu)物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 硅太陽能電池 鋁背場 性能模擬 PCD
【基金】：南京大學(xué)固體微結(jié)構(gòu)物理國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室自主創(chuàng)新課題基金(2010ZZ13)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1引言太陽能是安全、清潔、可再生能源的源泉,在解決能源危機(jī)以及傳統(tǒng)能源對環(huán)境污染占有重要的戰(zhàn)略地位[1]。為了降低太陽能電池的成本,減少硅材料的用量,提高光電轉(zhuǎn)換效率,需要不斷減薄硅片厚度。隨著硅片厚度的減薄,鋁背場在降低電池背面復(fù)合速率,提高太陽電池轉(zhuǎn)換效率方

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合成甲醇反應(yīng)器流向變換強(qiáng)制周期操作的模型化研究    陳曉春

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SCMP中共享多端口數(shù)據(jù)Cache結(jié)構(gòu)的研究    黃光奇

單晶硅太陽能電池鋁背場的特性研究    陳勇民

晶體硅太陽能電池漿料用玻璃粉成分與性能的研究    李建球

單晶硅太陽能電池效率進(jìn)一步提高探索    游金釧

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單晶硅太陽能電池表面制絨新方法研究    孫林鋒

工業(yè)晶體硅太陽能電池柵線優(yōu)化研究    王慶偉

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