日立化成開(kāi)發(fā)出可蝕刻SiN的漿料,用于太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域

【摘要】：正日立化成開(kāi)發(fā)出了可蝕刻氮化硅(SiN)的漿料,并在第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展上展出。只要利用絲網(wǎng)印刷工藝使該漿料成形,便可只去除漿料下面的SiN。日立化成的目標(biāo)是將這種漿料用于太陽(yáng)能電池及MEMS制造工序等。在結(jié)晶硅型太陽(yáng)能電池的制造工序中,通常要在硅電池單元的受光側(cè)用SiN形成防反射膜。而且在該防反射膜上形成Ag電極后,還要進(jìn)行"Fire Through"加工,在數(shù)百攝氏度下加熱,使Ag電極與硅電池單元接觸。 【關(guān)鍵詞】：
【分類號(hào)】：TM914.4;TN304;F416.6
【正文快照】： 日立化成開(kāi)發(fā)出了可蝕刻氮化硅(SiN)的漿料,并在第12屆國(guó)際納米技術(shù)綜合展上展出。只要利用絲網(wǎng)印刷工藝使該漿料成形,便可只去除漿料下面的SiN。日立化成的目標(biāo)是將這種漿料用于太陽(yáng)能電池及MEMS制造工序等。在結(jié)晶硅型太陽(yáng)能電池的制造工序中,通常要在硅電池單元的受光側(cè)用S

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