中間帶寬插入層對InGaN太陽能電池的影響

【摘要】：利用wxAMPS軟件對吸收層In組分為0.2的非極性InGaN基P-I-N結(jié)構(gòu)雙異質(zhì)結(jié)太陽能電池進(jìn)行仿真,分別研究了在P-I結(jié)和I-N結(jié)處插入In0.1Ga0.9N做為中間帶寬插入層對太陽能電池效率的影響。通過仿真發(fā)現(xiàn),隨著P-I結(jié)處插入層厚度增加,太陽能電池效率先增加后減少,而隨著I-N結(jié)處插入層厚度增加,太陽能電池效率遞增,但厚度超過10 nm時(shí),增加速率迅速減小。最后再利用仿真所得的最優(yōu)數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)出同時(shí)使用兩種插入層的新結(jié)構(gòu)電池,共15 nm的中間帶寬插入層將電池效率從10.7%提高至11.2%。 【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： InGaN 雙異質(zhì)結(jié) 太陽能電池 插入層
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 基于InxGa(1-x)N的太陽能電池近年來引起了人們的廣泛關(guān)注。InGaN能被選作太陽能電池的一個(gè)重要候選材料,是因?yàn)樗哂泻芏鄡?yōu)秀的特性,例如:屬于直接帶隙材料,因此具有較高的吸收系數(shù),約105cm-1;合金禁帶寬度變化范圍很寬,0.7 eV(InN)～3.4 eV(GaN),對應(yīng)于太陽光譜中從近紅外

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