納米表面二維周期半圓凹槽增強硅薄膜太陽能電池光吸收

【摘要】：利用時域有限差分方法,研究硅薄膜上下表面周期半圓凹槽結(jié)構(gòu)對于太陽光吸收的增強效應(yīng).研究發(fā)現(xiàn)這種結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)太陽光寬波段的光吸收增強,通過調(diào)節(jié)SiO2表面減反層厚度和凹槽半徑長度來實現(xiàn)薄膜太陽能電池最大的光吸收,并實現(xiàn)了波長在300—1000nm范圍的太陽光吸收總能量比沒有這種結(jié)構(gòu)下硅薄膜光吸收提高了約117%. 【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學(xué)物理系;
【關(guān)鍵詞】： 硅薄膜 半圓凹槽 吸收增強
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1引言傳統(tǒng)的硅基太陽能電池面臨的兩大突出問題是提高太陽能電池的光伏轉(zhuǎn)換效率和降低太陽能電池的成本,開發(fā)研制硅薄膜太陽能電池以減少硅片原材料的消耗來降低硅太陽能電池的成本成為熱點領(lǐng)域.傳統(tǒng)的硅基太陽能電池的硅層厚度一般在180—300μm,而一般的硅薄膜太陽能電池的

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