不同p電極下InGaN太陽(yáng)能電池性能研究

【摘要】：利用MOCVD方法在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)InGaN量子阱結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池,并制作出了不同間距和形狀的指叉形狀p型電極。通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比發(fā)現(xiàn),隨著指叉間距的減小,電極面積增加,光吸收面積減小,從而減少了光電流的產(chǎn)生,使得電池效率退化。另?yè)?jù)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),由于器件MESA邊緣有著更強(qiáng)的電場(chǎng),相同指叉密度下,將電極制作在器件邊緣可取得更好的電池性能。 【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)技術(shù)物理學(xué)院;西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： InGaN 太陽(yáng)能電池 p電極 指叉間距
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： InGaN基的合金材料近年來(lái)得到了廣泛的關(guān)注,并成功運(yùn)用與發(fā)光二極管(LED)[1]、激光器(LD)[2]和高電子遷移率(HEMT)[3]器件的制作。由于其優(yōu)異的物理特性,如跨度較大的禁帶寬度范圍(0.7~3.4 eV)[4],較高的帶邊吸收系數(shù)(105cm-1),高電子遷移率[5]以及優(yōu)越的抗輻照特性[6],InGaN

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