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航空太陽(yáng)能電池用超薄鍺單晶的精密拋光

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時(shí)間:2024-08-18 14:43:31
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航空太陽(yáng)能電池用超薄鍺單晶的精密拋光【摘要】:主要對(duì)影響鍺單晶拋光后表面微粗糙度的關(guān)鍵因素—拋光液組分的作用進(jìn)行分析。采用變量控制的實(shí)驗(yàn)方法,從活性劑、有機(jī)胺堿、氧化劑、硅溶膠磨料

【摘要】:主要對(duì)影響鍺單晶拋光后表面微粗糙度的關(guān)鍵因素—拋光液組分的作用進(jìn)行分析。采用變量控制的實(shí)驗(yàn)方法,從活性劑、有機(jī)胺堿、氧化劑、硅溶膠磨料和螯合劑五個(gè)因素出發(fā)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。針對(duì)粗糙度影響因素進(jìn)行分析與優(yōu)化,同時(shí)對(duì)拋光速率進(jìn)行了分析,研究得出,拋光液組分中氧化劑濃度對(duì)CMP過(guò)程中鍺襯底片表面微粗糙度及去除速率的影響最為顯著。優(yōu)化拋光液組分配比,在拋光速率基本滿足工業(yè)要求(1.5μm/min)下,經(jīng)過(guò)CMP后鍺襯底表面微粗糙度可有效降到1.81 nm(10μm×10μm)。在最佳配比下,采用小粒徑、低分散度(99%82.2 nm)的硅溶膠磨料配制拋光液,其拋光效果明顯優(yōu)于采用大粒徑、高分散度的硅溶膠磨料配制的拋光液。 【作者單位】: 河北工業(yè)大學(xué)微電子研究所;
【關(guān)鍵詞】鍺襯底 航空電子 拋光液 氧化劑 粗糙度
【基金】:國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃02科技重大專(zhuān)項(xiàng)(2009ZX02308)
【分類(lèi)號(hào)】:TM914.4
【正文快照】: 1引言目前,隨著航天工業(yè)領(lǐng)域太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅太陽(yáng)能電池已經(jīng)到達(dá)相當(dāng)成熟的階段,但因其轉(zhuǎn)換效率低、抗輻射能力弱,其應(yīng)用受到了限制[1]。而以鍺為襯底的多結(jié)化合物太陽(yáng)能電池因具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在航空領(lǐng)域得到廣泛的關(guān)注[2]

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