太陽能材料CuInS_2的晶體結(jié)構(gòu)、電子和光學(xué)特性(英文)

【摘要】：用全電勢(shì)線性綴加平面波法加局域軌道方法調(diào)查了黃銅礦半導(dǎo)體CuInS2的結(jié)構(gòu)、電子和光學(xué)特性.我們計(jì)算的帶隙0.17eV是直接的,其它實(shí)驗(yàn)和理論也表明這種材料有一個(gè)直接帶隙.在In 4d和S3p軌道之間有相當(dāng)強(qiáng)的雜化,構(gòu)成了(InS2)4-陰離子.我們計(jì)算的反射率光譜,介電函數(shù)的實(shí)部和虛部,消光系數(shù)和折射率和實(shí)驗(yàn)結(jié)果取得了很好的一致. 【作者單位】： 新鄉(xiāng)學(xué)院物理系;河南教育學(xué)院物理系;第二炮兵指揮學(xué)院;河南師范大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體化合物 電子帶結(jié)構(gòu) 光學(xué)特性
【基金】：國家自然科學(xué)基金10947162和11104072 新鄉(xiāng)學(xué)院青年基金(12ZC10) 河南省教育廳自然科學(xué)基金(2011A140005)
【分類號(hào)】：O562
【正文快照】： 1 IntroductionTernary ABC2,semiconductors which crys-tallize in the chalcopyrite structure form a widefamily of materials,which includes AI BII CVI2andAII BIVCV2type compounds.They have technologi-cal interest related to their nonlinear optical prop-erti

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