HIT太陽(yáng)能電池性能的模擬計(jì)算

【摘要】：運(yùn)用AFORS-HET程序,對(duì)帶有本征層的異質(zhì)結(jié)(HIT)太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)參數(shù)進(jìn)行模擬分析,研究透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO)功函數(shù)、背電場(chǎng)、襯底厚度以及襯底材料的選擇對(duì)電池性能的影響。結(jié)果表明:p型襯底結(jié)構(gòu)電池TCO功函數(shù)越小越好,而n型襯底TCO功函數(shù)越大越好。背電場(chǎng)對(duì)電池載流子的傳輸和背表面復(fù)合有較大的影響。減小襯底的厚度造成光吸收減少,短路電流降低,電池效率有一定損失。從理論上分析,n型材料更適合作為電池襯底。通過優(yōu)化電池結(jié)構(gòu),獲得了p型襯底電池的最高轉(zhuǎn)換效率為23.38%,n型襯底電池最高轉(zhuǎn)換效率26.74%。 【作者單位】： 南京工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： HIT 太陽(yáng)能電池 模擬計(jì)算
【基金】：江蘇高校優(yōu)勢(shì)學(xué)科建設(shè)工程
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 太陽(yáng)能電池的研究正朝著低成本、高效率的方向發(fā)展,當(dāng)前應(yīng)用的太陽(yáng)能電池主要是硅基電池。其中,單晶硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)化效率高,生產(chǎn)工藝成熟,占據(jù)太陽(yáng)能電池總產(chǎn)能的絕大部分。由于采用高溫(900℃以上)擴(kuò)散技術(shù)制備,會(huì)導(dǎo)致硅晶片的變形和熱損傷,限制了電池轉(zhuǎn)換效率提高,并且高溫

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