TiO_2基量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換性能研究

【摘要】：太陽(yáng)能以其取用不盡、綠色清潔的特點(diǎn)成為解決當(dāng)前能源和環(huán)境問(wèn)題的理想新能源。量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池作為一種極具潛力的新型太陽(yáng)能電池正處于高速發(fā)展階段。本論文結(jié)合材料合成與器件制作,通過(guò)Ti02基量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換性能研究,探討影響電池性能的關(guān)鍵因素并在電池制作過(guò)程中進(jìn)行有針對(duì)性的優(yōu)化,旨在提高量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率,主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果在第3-5章中進(jìn)行論述；另外,紅外下轉(zhuǎn)材料能夠減小太陽(yáng)光譜與太陽(yáng)能電池光譜響應(yīng)之間的失配,在提高硅晶太陽(yáng)能電池效率方面具有良好的應(yīng)用前景?；诖?我們探索了兩種具備一定應(yīng)用潛力的新型紅外下轉(zhuǎn)換材料,相關(guān)工作在第6章中作具體闡述。 論文的第1章為緒論部分,主要介紹了本研究的相關(guān)背景知識(shí)。首先,綜述了太陽(yáng)能電池的發(fā)展現(xiàn)狀；其次,著重探討了量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)、工作原理、器件結(jié)構(gòu)及其研究進(jìn)展；最后,總結(jié)了量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池面臨的主要問(wèn)題和可能的解決方案。 在第2章中,詳細(xì)介紹了量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程和表征手段。制作過(guò)程包括光陽(yáng)極、電解液、對(duì)電極的制作以及“三明治”電池結(jié)構(gòu)的組裝,其中,光陽(yáng)極的制作又涉及Ti02漿料、光陽(yáng)極薄膜的制備以及量子點(diǎn)的合成。表征手段主要分為形貌和結(jié)構(gòu)表征、光譜特性表征和電化學(xué)性能表征。 在第3章中,研究了陽(yáng)離子前驅(qū)液對(duì)連續(xù)離子層吸附與反應(yīng)(SILAR)法制備CdS量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的影響。SILAR是一種常用的在氧化物多孔膜上原位沉積合成量子點(diǎn)的方法。研究發(fā)現(xiàn),陽(yáng)離子前驅(qū)液的選擇對(duì)量子點(diǎn)在光陽(yáng)極薄膜上的沉積情況乃至最終的太陽(yáng)能電池性能存在重要影響。在CdS量子點(diǎn)制備過(guò)程中,與常用的Cd(NO3)2目比,采用Cd(CH3COO)2陽(yáng)離子前驅(qū)液作為鎘源時(shí),量子點(diǎn)在Ti02薄膜上的沉積速率更快；且制作而成的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池效率更高(在SILAR敏化次數(shù)均為12,光電轉(zhuǎn)換效率高達(dá)2.15%,比Cd(NO3)2作為鎘源的情形高出約40%)。深入研究表明,陽(yáng)離子前驅(qū)液pH值在很大程度上決定了量子點(diǎn)的沉積速率及其在光陽(yáng)極薄膜上的沉積量；pH值越高,浸沒(méi)其中的Ti02表面帶負(fù)電荷越多,對(duì)前驅(qū)液中帶正電荷的鎘離子吸引驅(qū)動(dòng)力越大,造成CdS沉積速率更快。另外,對(duì)于CdS量子點(diǎn)敏化Ti02薄膜,量子點(diǎn)負(fù)載量的增大會(huì)伴隨CdS吸收邊的紅移,這種在多數(shù)文獻(xiàn)中并未明確提及的反常紅移現(xiàn)象在實(shí)驗(yàn)中被觀測(cè)到。它拓展了光譜吸收和光電流響應(yīng)范圍,對(duì)量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)換效率的提升十分有利。該工作對(duì)于量子點(diǎn)制備過(guò)程中前驅(qū)液的選擇和調(diào)制具有重要的指導(dǎo)意義,能夠借以改善量子點(diǎn)在光陽(yáng)極薄膜上的有效負(fù)載,提升量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池性能。 在第4章中,深入系統(tǒng)地研究了Ti02多孔微球在CdS/CdSe量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用。光陽(yáng)極薄膜作為量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池中十分關(guān)鍵的組成部分,其結(jié)構(gòu)特征對(duì)電池性能具有直接影響。通過(guò)共沉淀與溶劑熱相結(jié)合的方法合成了亞微米級(jí)銳鈦礦相Ti02多孔球。這種多孔微球是由許多納米級(jí)Ti02晶粒團(tuán)聚在一起構(gòu)成的,其所具備的優(yōu)異光散射能力能夠增強(qiáng)光陽(yáng)極的光捕獲,且巨大的比表面積可以保證量子點(diǎn)的充分負(fù)載。在溶劑熱處理過(guò)程中添加不同量的氨水刻蝕處理能夠調(diào)控多孔微球的比表面積、孔隙率和孔徑尺寸,改善微球結(jié)構(gòu)特征,顯著提升量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池性能。最終,基于Ti02多孔微球光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的CdS/CdSe量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池獲得了4.05%的光電轉(zhuǎn)換效率,證實(shí)所合成的多孔微球是一種理想的敏化太陽(yáng)能電池光陽(yáng)極薄膜材料。在此基礎(chǔ)上,我們聯(lián)合使用Ti02多孔微球與納米顆粒,對(duì)光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)。納米顆粒對(duì)相鄰多孔微球之間空隙的填充使光陽(yáng)極薄膜的可利用比表面積最大化,同時(shí)改善了光陽(yáng)極中的電荷傳輸。優(yōu)化設(shè)計(jì)的Double-layer和Mixture結(jié)構(gòu)盡可能地實(shí)現(xiàn)了對(duì)光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)負(fù)載量大、光散射能力強(qiáng)、電荷傳輸高效和電解液注入快速的要求。電化學(xué)性能測(cè)試表明,與簡(jiǎn)單的單層Ti02多孔微球和納米顆粒薄膜相比,基于Double-layer和Mixture光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池性能得到進(jìn)一步提升,光電轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到4.33%和4.65%。該工作關(guān)于Ti02多孔微球在量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池中應(yīng)用的系統(tǒng)研究對(duì)光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)優(yōu)化具有重要的借鑒意義。 在第5章中,基于金屬硫化物窄帶隙量子點(diǎn)(PbS和Ag2S),制作了較為高效穩(wěn)定的可見(jiàn)至近紅外波段光譜響應(yīng)的量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池。PbS、Ag2S等量子點(diǎn)通過(guò)尺寸調(diào)節(jié)能夠輕易實(shí)現(xiàn)吸收波長(zhǎng)向近紅外區(qū)域的拓展,有望極大提升敏化太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。電化學(xué)性能測(cè)試表明,PbS和Ag2S的良好光吸收對(duì)光生電流的增大貢獻(xiàn)顯著；而CdS量子點(diǎn)的協(xié)同作用能有效改善電池性能,不僅很好地解決了PbS、Ag2S在多硫電解液中穩(wěn)定性差的問(wèn)題,同時(shí)也明顯增大了開(kāi)路電壓,提升了太陽(yáng)能電池效率。特別地,利用Pb2+和Cd2+混合陽(yáng)離子前驅(qū)液同時(shí)敏化所制備的高質(zhì)量(Pb,Cd)S光電極能夠獲得高達(dá)2.66%的光電轉(zhuǎn)換效率。可以預(yù)期,如果在后續(xù)工作中作進(jìn)一步優(yōu)化,必將獲得更為高效的敏化太陽(yáng)能電池,發(fā)揮出全光譜響應(yīng)電池設(shè)計(jì)的巨大潛力。 在第6章中,簡(jiǎn)要介紹了紅外下轉(zhuǎn)換材料的研究背景和研究進(jìn)展,并在此基礎(chǔ)上,重點(diǎn)報(bào)道了CaNb2O6:Yb3+和YNbO4:Bi3+,Yb3+兩種新型紅外下轉(zhuǎn)換材料。采用高溫固相法分別制備了不同Yb3+摻雜濃度的粉末樣品。物相分析表明樣品結(jié)晶性能良好,摻雜并未造成晶格結(jié)構(gòu)的改變和破壞。利用激發(fā)光譜、發(fā)射光譜和發(fā)光衰減曲線細(xì)致地研究了材料的發(fā)光性質(zhì)。光譜分析和壽命測(cè)量證實(shí)在這兩種材料中分別存在由[NbO6]7-口Bi3+向Yb3+的能量傳遞,并用合作能量傳遞過(guò)程對(duì)其作了合理解釋。也就是說(shuō),下轉(zhuǎn)換材料能夠?qū)⑺盏囊粋€(gè)高能紫外光子轉(zhuǎn)換為兩個(gè)低能近紅外光子。CaNb2O6:Yb3+在紫外光區(qū)域250～300nm波段內(nèi)存在基質(zhì)的寬帶吸收；而YNbO4:Bi3+,Yb3+更是因?yàn)锽i3+的引入將光吸收拓展至250～350nm,使得對(duì)太陽(yáng)光的利用率更高。由于Yb3+的近紅外發(fā)射正好與硅晶太陽(yáng)能電池的峰值響應(yīng)相匹配,這兩種材料中的紅外下轉(zhuǎn)換現(xiàn)象在提高硅晶太陽(yáng)能電池效率方面具有潛在的應(yīng)用價(jià)值。然而,在高摻雜濃度下,材料中存在嚴(yán)重的濃度猝滅,這在很大程度上制約了下轉(zhuǎn)換材料中的實(shí)際能量轉(zhuǎn)換效率。例如,在Yb3+摻雜濃度為16%時(shí),CaNb2O6:Yb3+和YNbO4:Bi3+,Yb3+中的理論量子效率分別為164%和147%；而在考慮yb3+的濃度猝滅效應(yīng)后,量子效率分別下降為142%和120%。濃度猝滅效應(yīng)的抑制對(duì)于紅外下轉(zhuǎn)換材料的實(shí)際應(yīng)用至關(guān)重要。 【關(guān)鍵詞】：量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池 二氧化鈦 陽(yáng)離子前驅(qū)液 光陽(yáng)極結(jié)構(gòu) 全光譜響應(yīng) 紅外下轉(zhuǎn)換材料 能量傳遞
【學(xué)位授予單位】：中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類號(hào)】：TM914.4
【目錄】：

• 摘要5-8
• Abstract8-16
• 第1章 緒論16-46
• 1.1 引言16
• 1.2 太陽(yáng)能電池發(fā)展現(xiàn)狀16-19
• 1.2.1 硅晶太陽(yáng)能電池17-18
• 1.2.2 薄膜太陽(yáng)能電池18
• 1.2.3 納米晶太陽(yáng)能電池18-19
• 1.3 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池簡(jiǎn)介19-26
• 1.3.1 量子點(diǎn)的特性19-23
• 1.3.2 器件結(jié)構(gòu)23-25
• 1.3.3 工作原理25-26
• 1.4 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池研究進(jìn)展26-38
• 1.4.1 氧化物薄膜26-29
• 1.4.2 量子點(diǎn)29-35
• 1.4.3 電解質(zhì)35-36
• 1.4.4 對(duì)電極36-38
• 1.5 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池面臨的主要問(wèn)題38-39
• 1.6 本論文的主要研究?jī)?nèi)容39-41
• 參考文獻(xiàn)41-46
• 第2章 量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的制作與表征46-58
• 2.1 電池的制作46-50
• 2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料46-47
• 2.1.2 TiO_2薄膜的制作47-48
• 2.1.3 量子點(diǎn)的制備48-49
• 2.1.4 電解液的配制49
• 2.1.5 對(duì)電極的制作49-50
• 2.1.6 電池的組裝50
• 2.2 電池的表征50-58
• 2.2.1 形貌和結(jié)構(gòu)表征50-52
• 2.2.2 吸收和反射光譜表征52
• 2.2.3 電化學(xué)性能表征52-58
• 第3章 陽(yáng)離子前驅(qū)液對(duì)SILAR法制備CdS量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的影響58-76
• 3.1 前言58-59
• 3.2 CdS量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的表征59-65
• 3.2.1 SEM表征和EDX分析59-62
• 3.2.2 吸收光譜62-65
• 3.3 電化學(xué)性能測(cè)試65-68
• 3.3.1 J-V特性曲線65-67
• 3.3.2 IPCE測(cè)試67-68
• 3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析與討論68-72
• 3.5 本章小結(jié)72-73
• 參考文獻(xiàn)73-76
• 第4章 TiO_2多孔微球在CdS/CdSe量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用76-102
• 4.1 前言76-78
• 4.2 TiO_2多孔微球的制備和表征78-82
• 4.2.1 多孔微球的制備78
• 4.2.2 形貌和結(jié)構(gòu)表征78-82
• 4.3 TiO_2多孔微球光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)特征82-85
• 4.3.1 量子點(diǎn)敏化前后光陽(yáng)極形貌和結(jié)構(gòu)82-83
• 4.3.2 吸收和反射光譜83-85
• 4.4 基于TiO_2多孔微球光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的CdS/CdSe量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池性能85-88
• 4.4.1 J-V特性曲線85-86
• 4.4.2 電化學(xué)阻抗譜86-88
• 4.5 TiO_2多孔微球薄膜和納米顆粒薄膜的量子點(diǎn)負(fù)載能力對(duì)比88-92
• 4.5.1 TiO_2多孔微球和納米顆粒的結(jié)構(gòu)特征比較88-90
• 4.5.2 兩種光陽(yáng)極薄膜的量子點(diǎn)負(fù)載能力分析90-92
• 4.6 聯(lián)合使用TiO_2多孔微球和納米顆粒的光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)92-95
• 4.7 基于優(yōu)化光陽(yáng)極結(jié)構(gòu)的CdS/CdSe量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池性能95-98
• 4.7.1 J-V特性曲線95-97
• 4.7.2 電化學(xué)阻抗譜97-98
• 4.8 本章小結(jié)98-99
• 參考文獻(xiàn)99-102
• 第5章 可見(jiàn)至近紅外寬光譜響應(yīng)量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池102-118
• 5.1 前言102-104
• 5.2 量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的制備和表征104-106
• 5.2.1 制備過(guò)程104
• 5.2.2 SEM和EDX表征104-106
• 5.3 單一PbS量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池106-109
• 5.3.1 PbS量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的XRD表征106-107
• 5.3.2 PbS量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的吸收光譜107
• 5.3.3 單一PbS量子點(diǎn)敏化太陽(yáng)能電池的J-V特性曲線107-108
• 5.3.4 PbS量子點(diǎn)敏化TiO_2的TEM表征108-109
• 5.4 PbS和CdS量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池109-112
• 5.4.1 量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的吸收光譜109-110
• 5.4.2 PbS和CdS量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池的J-V特性曲線110-112
• 5.5 Ag_2S和CdS量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池112-115
• 5.5.1 Ag_2S量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的EDX分析112-113
• 5.5.2 量子點(diǎn)敏化TiO_2薄膜的吸收光譜113
• 5.5.3 Ag_2S和CdS量子點(diǎn)共敏化太陽(yáng)能電池的J-V特性曲線113-115
• 5.6 本章小結(jié)115-116
• 參考文獻(xiàn)116-118
• 第6章 用于提高太陽(yáng)能電池效率的紅外下轉(zhuǎn)換材料118-136
• 6.1 前言118-121
• 6.1.1 研究背景118-119
• 6.1.2 紅外下轉(zhuǎn)換材料的研究進(jìn)展119-120
• 6.1.3 鈮酸鹽基質(zhì)簡(jiǎn)介120-121
• 6.2 樣品的制備與表征方法121-122
• 6.2.1 高溫固相法制備CaNb_2O_6:Yb~(3+)和YNbO_4:Bi~(3+),Yb~(3+)121-122
• 6.2.2 粉末樣品的結(jié)構(gòu)和發(fā)光性質(zhì)表征方法122
• 6.3 CaNb_2O_6:Yb~(3+)紅外下轉(zhuǎn)換材料122-128
• 6.3.1 CaNb_2O_6:Yb~(3+)的結(jié)構(gòu)表征122-123
• 6.3.2 CaNb_2O_6:Yb~(3+)的發(fā)光性質(zhì)123-126
• 6.3.3 基質(zhì)向Yb~(3+)的能量傳遞分析126-128
• 6.4 YNbO_4:Bi~(3+),Yb~(3+)紅外下轉(zhuǎn)換材料128-132
• 6.4.1 YNbO_4:Bi~(3+),Yb~(3+)的結(jié)構(gòu)表征128
• 6.4.2 YNbO_4:Bi~(3+),Yb~(3+)的發(fā)光性質(zhì)128-131
• 6.4.3 Bi~(3+)向Yb~(3+)的能量傳遞分析131-132
• 6.5 本章小結(jié)132-134
• 參考文獻(xiàn)134-136
• 結(jié)論與展望136-140
• 致謝140-142
• 碩博連讀期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文目錄142-143

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環(huán)狀耦合三量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的電子輸運(yùn)性質(zhì)    江兆潭;楊杰;王玉;魏賢鳳;張杰;

量子點(diǎn)太陽(yáng)電池研究進(jìn)展    康培;劉如彬;王帥;張啟明;孫強(qiáng);穆杰;

納米結(jié)構(gòu)在新型太陽(yáng)電池中的應(yīng)用進(jìn)展    朱晨昕;賈銳;陳晨;李維龍;李昊峰;劉明;劉新宇;葉甜春;

量子點(diǎn)太陽(yáng)電池的探索    彭英才;傅廣生;

受多體效應(yīng)影響的平行雙量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的自旋輸運(yùn)    公衛(wèi)江;謝雪峰;魏國(guó)柱;

納米結(jié)構(gòu)材料在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用    郭延嶺;馬蕾;張志剛;婁建忠;彭英才;

硅鍺薄膜上量子點(diǎn)的受激發(fā)光    黃偉其;呂泉;張榮濤;王曉允;劉世榮;秦朝建;

砷化鎵量子點(diǎn)太陽(yáng)電池及材料的研究現(xiàn)狀    李燁;涂潔磊;

超晶格與量子阱器件    賈彌合

含有缺陷的二維光子晶體能帶特性    李媛;劉勝杰;張曉帆;

InGaAs/GaAs鏈狀量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性研究    王寶瑞;孫征;孫寶權(quán);徐仲英;

Ⅳ-Ⅵ半導(dǎo)體量子點(diǎn)光學(xué)性質(zhì)及理論模擬    徐天寧;吳惠楨;斯劍霄;

非均質(zhì)量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)彈性場(chǎng)分析的微擾理論    楚海建;王建祥;

用量子受限模型分析硅氧化層中的鍺低維納米結(jié)構(gòu)(英文)    黃偉其;劉世榮;

InGaAs/GaAs多層量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)自發(fā)發(fā)射    寧永強(qiáng);高欣;王立軍;PeterSmowton;PeterBlood;

自組織生長(zhǎng)ZnCdSe-ZnSe量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光    鄭著宏;呂有明;申德振;

發(fā)光量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)與生物偶聯(lián)的光譜分析表征    孔祥貴;

異變生長(zhǎng)GaAs基長(zhǎng)波長(zhǎng)InAs垂直耦合量子點(diǎn)    王鵬飛;熊永華;吳兵朋;倪海橋;黃社松;牛智川;

Ge納米點(diǎn)/非晶Si多層異質(zhì)薄膜的金屬Ni橫向誘導(dǎo)晶化    鄢波;施毅;張匡吉;濮林;韓平;張榮;鄭有炓;

砷化鎵量子點(diǎn)太陽(yáng)電池及材料的研究現(xiàn)狀    李燁;涂潔;

新型Ⅱ-Ⅵ族量子點(diǎn)的合成、應(yīng)用及機(jī)理研究    曾若生

量子點(diǎn)的制備及其在生物分析中的應(yīng)用    楊冬芝

量子點(diǎn)系統(tǒng)中的熱輸運(yùn)研究    王強(qiáng)

核殼量子點(diǎn)激子態(tài)的合成控制    牛原

半導(dǎo)體自組織量子點(diǎn)中自旋馳豫的經(jīng)驗(yàn)贗勢(shì)計(jì)算    韋海

量子點(diǎn)—微腔耦合系統(tǒng)激發(fā)和輸運(yùn)特性研究    關(guān)歡

量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)與微波燒結(jié)粉體ZnO的數(shù)值模擬研究    龔亮

核/殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的可控合成和發(fā)光性質(zhì)及LED制備研究    徐威

球形核殼量子點(diǎn)中的電—聲子相互作用及三元混晶效應(yīng)    邢雁

無(wú)鎘半導(dǎo)體量子點(diǎn)的光致發(fā)光性質(zhì)及其白光發(fā)光二極管應(yīng)用研究    袁曦

量子點(diǎn)耦合結(jié)構(gòu)輸運(yùn)和光學(xué)性質(zhì)研究    王紅仙

硒化鎘量子點(diǎn)對(duì)人皮膚細(xì)胞的毒性效應(yīng)研究    宋方茗

磷脂修飾量子點(diǎn)與細(xì)胞相互作用的研究    張鵬飛

碳量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)對(duì)熒光發(fā)射行為的影響    郭艷

量子點(diǎn)熒光共振能量轉(zhuǎn)移體系的構(gòu)建及其應(yīng)用研究    王緒炎

碳量子點(diǎn)表面基團(tuán)調(diào)控及性能的研究    田瑞雪

量子點(diǎn)表面化學(xué)修飾及探針應(yīng)用    馬士建

一維介觀量子點(diǎn)系統(tǒng)的電子輸運(yùn)的格林函數(shù)方法研究    魯曉華

雙電子量子點(diǎn)系統(tǒng)隧穿問(wèn)題的微觀理論研究    藍(lán)健

邊耦合T型量子點(diǎn)系統(tǒng)的全計(jì)數(shù)統(tǒng)計(jì)研究    黃連軍