非晶硅鍺薄膜與太陽(yáng)能電池研究

【摘要】：采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)在1.1 m×1.3 m的大面積玻璃襯底上制備非晶硅鍺(aSiGe)薄膜和太陽(yáng)能電池。系統(tǒng)研究了鍺烷流量比(RGe)、氫氣流量比(RH)、沉積功率和壓強(qiáng)對(duì)a-SiGe薄膜光學(xué)帶隙以及沉積速率的影響;分析了具有不同RGe的本征層對(duì)a-SiGe單結(jié)電池的影響;通過(guò)調(diào)節(jié)沉積參數(shù)制備出具有合適本征層帶隙的高質(zhì)量a-SiGe單結(jié)電池,實(shí)現(xiàn)在800 nm波長(zhǎng)處的量子效率達(dá)到18.9%,同時(shí)填充因子(FF)也達(dá)到0.62。 【作者單位】： 浙江正泰太陽(yáng)能科技有限公司;浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 非晶硅鍺 光學(xué)帶隙 太陽(yáng)能電池
【基金】：國(guó)家國(guó)際合作項(xiàng)目(2010DFB63080) 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)(2012AA052401)
【分類號(hào)】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 1引言硅基薄膜太陽(yáng)能電池具有低能耗,原材料豐富等優(yōu)點(diǎn),使其在光伏領(lǐng)域具有一定的發(fā)展前景。目前非晶硅/微晶硅(a-Si/μc-Si)兩結(jié)疊層電池技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化[1],但電池的生產(chǎn)成本相比主流的晶硅電池還是沒(méi)有優(yōu)勢(shì)。采用三結(jié)疊層電池技術(shù)是提升硅基薄膜電池市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的有效途

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