4H-SiC(000(3×3)重構(gòu)的原子能態(tài)

【摘要】：為了探索SiC表面的結(jié)構(gòu)和原子的能態(tài),在650℃條件下,用低能電子衍射(LEED儀),觀察到4H-SiC(0001)(3×3)重構(gòu)面的LEED圖樣,利用配備有XPS設備的電子能量分析器,記錄SiC(0001)(3×3)重構(gòu)的角分辨X射線光電子能譜(XPS),得出該結(jié)構(gòu)中Si2p和C1s的能態(tài)結(jié)構(gòu),進而發(fā)現(xiàn)SiC(0001)(3×3)重構(gòu)面僅由硅原子形成,是在扭轉(zhuǎn)的硅增層上的Si四聚物.通過比較體內(nèi)和表面Si2p態(tài)的光電子能譜,得出表面Si2p態(tài)的漂移能量. 【作者單位】： 北京工商大學數(shù)理系;北京交通大學理學院;
【關(guān)鍵詞】： H-SiC 重構(gòu) 能態(tài) LEED XPS 束縛能 能量漂移
【分類號】：O472.1
【正文快照】： 在高能和高溫設備中,新技術(shù)的應用使得硅碳化合物成為廣泛研究的材料.由于半導體SiC的能隙寬,在微電子、光電子領(lǐng)域得到廣泛的應用,成為制作高溫、腐蝕性條件下的快速電子器件的主體材料.SiC具有多種晶體結(jié)構(gòu),即閃鋅礦3C多形體和六角nH多形體,在不同條件下,SiC具有不同的晶體

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