應(yīng)用于太陽能電池的硼摻雜納米硅薄膜性能研究(英文)

【摘要】：本文采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)制備了輕度摻雜的氫化非晶硅薄膜,沉積過程中以Si H4,B2H6和H2的混和氣作為反應(yīng)源.原始淀積材料經(jīng)過800和1000°C的高溫?zé)嵬嘶鹛幚砗?形成了硼摻雜的納米硅薄膜.X射線光電子能譜(XPS)顯示硼原子在薄膜中形成了替位式摻雜.根據(jù)不同溫度下暗電導(dǎo)率的測(cè)量結(jié)果,輕度硼摻雜的納米硅薄膜具有較高的室溫暗電導(dǎo)率和較低的激活能.進(jìn)而,采用該種P型硅薄膜材料以N型單晶硅為基底,制作了P-N結(jié)太陽能電池器件.根據(jù)電流-電壓特性以及光譜相應(yīng)曲線的測(cè)量分析,對(duì)電池的性能特性進(jìn)行了研究. 【作者單位】： Department
【關(guān)鍵詞】： 硅薄膜;納米硅;薄膜性能;電流-電壓特性;性能特性;光電子能譜;annealed;PECVD;annealing;激活能;
【基金】：supported by the National Natural Science Foundation of China(61306003 and 61274140)
【分類號(hào)】：TQ127.2;TM914.4
【正文快照】： INTRODUCTIonDue to their applications in optoelectronic devices,amor-phous silicon(a-Si:H)thin films have been investigatedwidely,and the optical and electric properties of a-Si:Hthin films have been reported in many studies[1–3].Com-pared with a-Si:H f

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