μc-Si:H(n)/c-Si(p)異質(zhì)結(jié)太陽能電池性能的模擬研究

【摘要】：通過AFORS-HET軟件分析了μc-Si:H(n)發(fā)射層,前后a-Si:H(i)本征層的厚度和帶隙,對(duì)μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+)太陽能電池性能的影響。模擬得出a-Si:H(i)本征層通過鈍化界面來提高太陽能電池的性能,同樣μc-Si:H(p+)背場(chǎng)提高了電池的轉(zhuǎn)換效率。μc-Si:H(n)發(fā)射層的厚度為6 nm,帶隙為1.6 eV;前后aSi:H(i)本征層的厚度和帶隙分別為3 nm和1.6 eV,電池的性能達(dá)到最佳。此優(yōu)化結(jié)果可以促進(jìn)提高低成本高效率的太陽能電池技術(shù)。 【作者單位】： 太原科技大學(xué)應(yīng)用科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 太陽能電池 AFORS-HET 厚度 帶隙
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 0引言對(duì)于人類而言,太陽能是取之不盡、用之不竭的。如何有效地利用并將太陽能用到人們生活中是太陽能產(chǎn)業(yè)研究人員重要而艱巨的任務(wù),因此近年來太陽能電池的發(fā)展受到普遍的重視。1994年,日本SANYO公司開發(fā)了新型的HIT太陽能電池結(jié)構(gòu)[1,2],這種電池結(jié)構(gòu)的高效性以及低成本性迅

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