一種具有GaInAsN/GaAs量子阱結(jié)構(gòu)的三結(jié)太陽能電池的設(shè)計(jì)

【摘要】：該文使用傳輸矩陣法分析了GaInAsN/GaAs量子阱對電子的透射情況,并使用crosslight軟件對GaInAsN/GaAs量子阱太陽能電池的伏安特性進(jìn)行了數(shù)值模擬和分析。初步討論了量子阱的阱寬和壘厚的變化對量子阱電池伏安特性的影響.模擬結(jié)果發(fā)現(xiàn)壘厚32nm、阱寬7nm的量子阱光伏性能表現(xiàn)良好。作為有源區(qū),當(dāng)將該量子阱加入到GaAs子電池中,InGaP/GaAs/Ge三結(jié)電池在AM0下的短路電流密度達(dá)到19.81mA/cm2,比未使用量子阱有源區(qū)的三結(jié)電池提高了20%。 【作者單位】： 華南師范大學(xué)物理與電信工程學(xué)院;華南師范大學(xué)先進(jìn)材料所;
【關(guān)鍵詞】： GaInAsN/GaAs量子阱 阱寬 壘厚 短路電流 伏安特性
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61271127)
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 1引言太陽能作為一種清潔、無污染的新型能源越來越受到重視,其中薄膜類太陽能電池一直是研究的一個(gè)重點(diǎn)[16,18]。GaInAsN合金材料[14]是一種優(yōu)秀的太陽能電池材料,Courel等人[1,12]的研究結(jié)果表明GaInAsN/GaAs量子阱生長于GaAs空間電荷區(qū),可以增大太陽能電池的波長吸收范圍,

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