InGaN/GaN量子阱太陽能電池研究進(jìn)展

【摘要】：InGaN/GaN量子阱太陽能電池在擴(kuò)寬氮化物半導(dǎo)體太陽能電池光譜響應(yīng)和提高電池效率方面有較大優(yōu)勢,近幾年來受到了廣泛關(guān)注.本文回顧了InGaN/GaN量子阱電池發(fā)展歷程,論述了量子阱區(qū)域結(jié)構(gòu)設(shè)計和外界條件對InGaN/GaN量子阱電池效率的影響,介紹了為提高InGaN/GaN量子阱電池效率所進(jìn)行的關(guān)鍵工藝技術(shù)研究,總結(jié)了實現(xiàn)高效InGaN/GaN量子阱電池需要解決的問題和可能解決方案,為高效InGaN/GaN量子阱電池的實現(xiàn)提供參考. 【作者單位】： 廈門大學(xué)信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： InGaN/GaN量子阱 太陽能電池 氮化物半導(dǎo)體 GaN InGaN
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61404059,61274052)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： InxGa1-xN(x為In元素的原子分?jǐn)?shù),即In組分)三元合金材料通過改變In的組分可以實現(xiàn)從窄帶隙(InN:0.64eV)到寬帶隙(GaN:3.4eV)的連續(xù)調(diào)節(jié),可吸收光波段從近紅外一直延伸到紫外,基本覆蓋了整個太陽光譜[1],InGaN材料帶隙對應(yīng)的AM1.5(AM表示大氣質(zhì)量,數(shù)字1.5表示太陽光通過大氣實

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