等離子體織構(gòu)化的n-Si與P3HT組成雜化太陽(yáng)能電池的性能研究

【摘要】：在容性耦合SF6/O2等離子體織構(gòu)化處理的單晶Si襯底上旋涂P3HT(poly(3-hexylthiophene))以制作雜化太陽(yáng)能電池,研究不同激發(fā)頻率下得到的晶硅表面納米織構(gòu)對(duì)該雜化電池性能的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:激發(fā)頻率的增大促使了電池表面反射率的降低,增強(qiáng)了雜化電池的光電轉(zhuǎn)化效率。40.68 MHz激發(fā)頻率下等離子體織構(gòu)處理的單晶Si制成的雜化電池光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到1.14%。此外,空氣中存放時(shí)間對(duì)電池片性能影響的研究表明40.68 MHz織構(gòu)的硅/P3HT雜化電池片具有較好的電池特性和穩(wěn)定性。 【作者單位】： 物理·光電與能源學(xué)部蘇州大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 雜化太陽(yáng)能電池 等離子體織構(gòu)化 激發(fā)頻率 時(shí)效性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):11175127)
【分類號(hào)】：O611.2;TM914.4
【正文快照】： 近年來(lái),低廉的制造成本促使有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池的研究正受到人們?cè)絹?lái)越多的關(guān)注[1]。然而相比傳統(tǒng)的晶硅電池,有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化太陽(yáng)能電池效率仍不是很高[2-5],其主要原因還在于其低效的激子分離和活性層較低的光吸收能力。為增強(qiáng)電子-空穴對(duì)的有效分離,研究者們引入納米材

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