能帶不連續(xù)性對a-Si/c-Si(HIT)異質(zhì)結(jié)構(gòu)光伏特性的影響

【摘要】：本文報道了運用AMPS模擬程序?qū)-Si:H/c-Si HIT(heterojunction with an intrinsic thin layer)異質(zhì)結(jié)太陽電池數(shù)值模擬結(jié)果。研究了本征層厚度以及異質(zhì)界面能帶不連續(xù)性對光伏性能的影響,并與Tanaka M等的試驗結(jié)果進(jìn)行了比較。為了解a-Si/c-Si界面的能帶補(bǔ)償,我們還就固定本征層厚度的HIT結(jié)構(gòu)的光譜響應(yīng)的電壓和溫度依賴關(guān)系進(jìn)行了計算并同Gall S等報道的試驗結(jié)果也進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,只有在較小的導(dǎo)帶補(bǔ)償(～0.18eV)和較大的價帶補(bǔ)償(～0.5eV)時,其光伏特性和光譜響應(yīng)才能同已有實驗報道相符合。 【作者單位】：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【關(guān)鍵詞】：a-Si/c-Si HIT 能帶不連續(xù)性 數(shù)值模擬
【基金】：國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)劃(973)資助項目(批準(zhǔn)號:G2000028201)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1前言 a一Si/c-si HIT異質(zhì)結(jié)太陽電池同時兼有非晶硅的低溫、廉價和和晶體硅的高效穩(wěn)定特點,近年來備受關(guān)注[l.2〕。然而,對這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)的一些基礎(chǔ)問題尚不十分清楚。例如:關(guān)于a一Si/c一Si界面的能帶補(bǔ)償就有各種不同的報道[s]。Cuniot和Marfaing仁‘]根據(jù)濺射a一51/e一51異

您可以在本站搜索以下學(xué)術(shù)論文文獻(xiàn)來了解更多相關(guān)內(nèi)容

N型單晶硅襯底上非晶硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池計算機(jī)模擬    任丙彥;張燕;郭貝;張兵;李洪源;許穎;王文靜;

半導(dǎo)體光伏特性的非線性研究    黃偉其,陳朝綱

二氧化鈦修飾電極的光伏特性研究    方靖淮,顧建華,陸祖宏

MgF_2薄膜對a-Si電池光伏特性的增強(qiáng)作用    孫茂友,吳選之,李軍,王雁

Mg_xZn_(1-x)O單晶薄膜和MgZnO/ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)    吳春霞,呂有明,申德振,李炳輝,張振中,劉益春,張吉英,范希武

MOVPE 生長 Si δ 摻雜 GaAs/Al0.3Ga0.7As 異質(zhì)結(jié)構(gòu)及其霍耳測量    董爭,黃平,姚奎鴻

基于動態(tài)電容充電的光伏陣列I-V測試儀    張國榮;瞿曉麗;蘇建徽;劉寧;董康;

廠級領(lǐng)導(dǎo)班子的異質(zhì)結(jié)構(gòu)    裴正莉

聚苯胺太陽電池的研究    任斌,余成,黃河

硅基鋯鈦酸鉛鐵電薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究進(jìn)展    張洪偉;校峰;楊艷;

能帶不連續(xù)性對a-Si/c-Si(HIT)異質(zhì)結(jié)構(gòu)光伏特性的影響    胡志華;廖顯伯;刁宏偉;曾湘波;徐艷月;孔光臨;

多孔硅的光伏特性    李旦振;陳順玉;付賢智;

Ge/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米晶粒及電荷存儲特性研究    施毅;楊紅官;吳軍;袁曉利;顧書林;張榮;沈波;韓平;鄭有炓;

制備工藝對多孔硅光伏特性的影響    陳順玉;李旦振;付賢智;

具有紫外光伏特性的ZnO/高分子雜化薄膜~P    李海國;吳剛;陳紅征;汪茫;

CuO薄膜的制備及其光伏特性    張君善;高斐;劉曉靜;宋美周;李寧;

新方法制備金-金屬硫化物雜化納米晶    孫振華;包志紅;王海花;陳雪松;蘇黨生;王建方;

納米晶LaFeO_3表面電子結(jié)構(gòu)與光電氣敏特性的研究    李葵英;王德軍;吳鳳清;韓樹民;李鐵津;

學(xué)校異質(zhì)結(jié)構(gòu)團(tuán)體輔導(dǎo)對于兩種類型學(xué)生的相互影響    鄒如皓;

結(jié)晶性有機(jī)異質(zhì)結(jié)器件    王海波;閆東航;

呂惠賓：讓分子無處遁形    李禾

“有陽光的地方就有能源”有望實現(xiàn)    記者 路平

氮化鎵材料器件研制進(jìn)展    吳映紅

硅材料國家重點實驗室    

三頻功率放大器問世    海波

山東加大對基礎(chǔ)研究的支持力度    魯克

半導(dǎo)體照明：基礎(chǔ)研究不能“慢半拍”    本報記者 陳磊

電場對磁性/鐵電多鐵異質(zhì)結(jié)構(gòu)磁性調(diào)控的研究    陳前平

氧化鋅基和硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及其表面光伏特性研究    康大為

ZnO/Si異質(zhì)結(jié)的制備與特性研究    熊超

ZnO/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶界行為及其載流子輸運機(jī)制研究    劉秉策

氧化鈦基納米帶的改性及應(yīng)用研究    王彥敏

磷酸銀及其異質(zhì)結(jié)高效可見光催化劑的制備及性能研究    劉勇平

基于零維納米體系的結(jié)構(gòu)設(shè)計與構(gòu)筑、性能調(diào)控及應(yīng)用研究    曾杰

氧化鐵基異質(zhì)結(jié)構(gòu)納米材料的制備及光電性質(zhì)研究    彭琳琳

一維半導(dǎo)體納米材料的表面異質(zhì)結(jié)構(gòu)構(gòu)建與性能調(diào)控    周偉家

含特異材料的光子晶體光學(xué)傳輸特性研究    鄧新華

鈀摻雜非晶碳膜/二氧化硅/硅異質(zhì)結(jié)的制備及其光電特性的研究    馬明

BaTiO_3-SiC異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理研究    陳天鷗

基于密度泛函的SiC異質(zhì)結(jié)研究    陳潤乾

p-Si/n-SiC異質(zhì)結(jié)及其光電特性    臧源

鈦酸鍶異質(zhì)結(jié)界面電子結(jié)構(gòu)的理論研究    王美曉

氮摻雜TiO_2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及其光催化性能研究    段秀全

新型多孔magadiite基異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合成、表征及應(yīng)用研究    張叢

Heusler合金Co_2MnSi/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)的第一性原理計算    陳立勇

基于YBa_2Cu_3O_7導(dǎo)電氧化物電極的阻變異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究    李堃

AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的變溫電學(xué)特性    張忠芬