多孔硅的光伏特性

【摘要】：正半導(dǎo)體硅材料由于其間接帶隙的能帶結(jié)構(gòu),使得它在光電器件應(yīng)用方面受到較大的限制.1990年,Canham首次報(bào)道了多孔硅室溫下光致發(fā)光的事實(shí),使人們看到了硅材料在光電子領(lǐng)域誘人的應(yīng)用前景.本文采用表面光電壓譜(SPS)、熒光光譜和吸收光譜等研究了不同的制備工藝條件對(duì)多孔硅光電性質(zhì)的影響.研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),多孔硅不僅具有光致發(fā)光的性質(zhì),而且其光電壓相對(duì)于單晶 【作者單位】：福州大學(xué)光催化研究所 福州大學(xué)光催化研究所 福州大學(xué)光催化研究所
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(編號(hào)29843003) 福建省自然科學(xué)基金(編號(hào)B9820001,A0010014) 教育部留學(xué)回國(guó)人員科研啟動(dòng)基金(1999-363) 高等學(xué)校骨干教師資助計(jì)劃資助.
【分類號(hào)】：TN304
【正文快照】： 半導(dǎo)體硅材料由于其間接帶隙的能帶結(jié)構(gòu),使得它在光電器件應(yīng)用方面受到較大的限制。1990年,Canham0】首次報(bào)道了多孔硅室溫下光致發(fā)光的事實(shí),使人們看到了硅材料在光電子領(lǐng)域誘人的應(yīng)用前景。本文采用表面光電壓譜(SPS)、熒光光譜和吸收光譜等研究了不同的制備工藝條件對(duì)多孔

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