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PLZT薄膜的合成及其光伏效應(yīng)

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時(shí)間:2024-08-19 04:23:43
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PLZT薄膜的合成及其光伏效應(yīng)【摘要】:自從1920年發(fā)現(xiàn)羅息鹽鐵電晶體以來(lái),鐵電薄膜材料由于其優(yōu)異的鐵電、熱釋電和光電性能等得到了廣泛的關(guān)注,并在器件應(yīng)用方面具有良好的發(fā)展前景。

【摘要】:自從1920年發(fā)現(xiàn)羅息鹽鐵電晶體以來(lái),鐵電薄膜材料由于其優(yōu)異的鐵電、熱釋電和光電性能等得到了廣泛的關(guān)注,并在器件應(yīng)用方面具有良好的發(fā)展前景。鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)是以鋯鈦酸鉛(PZT)為基體,摻入鑭La而形成的鉛基復(fù)合鈣鈦礦型(ABO3)型鐵電晶體,其化學(xué)式為(Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3。PLZT作為最具發(fā)展前景的鐵電材料之一,在半導(dǎo)體工業(yè)、微存儲(chǔ)器、熱釋電紅外探測(cè)器、鐵電場(chǎng)效應(yīng)管、微機(jī)械等方面都有著重要的應(yīng)用。PLZT鐵電性質(zhì)對(duì)La含量的變化非常敏感,且其介電性能受La含量變化的影響很大,近期又發(fā)現(xiàn),PLZT具有良好的光電特性,在新能源器件方面具有潛在的應(yīng)用前景。 本文用溶膠-凝膠法(Sol-Gel)在不同襯底上制備了不同La含量的PLZT薄膜,研究了制備樣品的結(jié)構(gòu)、電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)以及光生伏特效應(yīng)。主要研究成果如下: (1)用Sol-Gel法成功配制了不同La含量的PLZT材料的前驅(qū)體溶液,通過(guò)快速熱退火(RTP)在不同襯底上制備了一定厚度的PLZT薄膜,包括Si(100)襯底、Si02/Si(100)和LaNi03(LNO)/Si襯底上的PLZT薄膜。研究了襯底和退火溫度對(duì)薄膜的影響。 (2)利用X射線衍射圖譜(XRD)對(duì)制備的樣品進(jìn)行了結(jié)構(gòu)研究,分析了不同襯底和退火溫度對(duì)PLZT薄膜結(jié)構(gòu)的影響。研究發(fā)現(xiàn),600℃退火溫度下LNO/Si襯底上的PLZT薄膜具有很好的結(jié)晶,衍射峰增強(qiáng),呈現(xiàn)(100)和(200)的擇優(yōu)取向,并且發(fā)現(xiàn)薄膜同時(shí)具有三方相和四方相。 (3)對(duì)制備的PLZT樣品進(jìn)行了鐵電性質(zhì)和介電性質(zhì)的測(cè)試。LNO/Si襯底上的PLZT薄膜的電滯回線(PE)隨著La摻雜量的減小逐漸寬化,剩余極化Pr和矯頑電場(chǎng)Ec均隨著La含量的增加而逐漸減小,這與其他文獻(xiàn)中的結(jié)果是一致的。在外加偏壓為40V時(shí),La含量為1%的PLZT薄膜的剩余極化強(qiáng)度和矯頑電場(chǎng)的值分別為39.2μC/cm-2和5.36kV/cm;C-F曲線顯示,當(dāng)頻率小于200kHz時(shí),La摻雜較高的樣品的Cp更大,這可能是因?yàn)閾饺肷倭康腖a改善了原薄膜晶體的生長(zhǎng),晶粒尺寸長(zhǎng)大從而導(dǎo)致電容的變大;同時(shí),Tanδ-F曲線顯示La摻雜量的增加會(huì)使薄膜的漏電變大。 (4)利用拉曼(Raman)光譜、橢圓偏振光譜和紅外光譜分析了樣品的光學(xué)性質(zhì)。通過(guò)橢偏測(cè)試擬合出了PLZT薄膜的折射率n、消光系數(shù)k,并進(jìn)一步得到了樣品的吸收系數(shù)a和禁帶寬度Eg。橢偏測(cè)試顯示n、k和α均隨著波長(zhǎng)的增大而減小,并最終趨近于一個(gè)恒定值,在可見(jiàn)光范圍(600nm)內(nèi),折射率大約為3.15,擬合出的禁帶寬度約為3.9eV;LNO襯底上樣品的Raman圖譜顯示,PLZT薄膜具有代表四方相的E(3TO)、A1(3TO)和A1(3LO)模式與代表三方相的R1模式,進(jìn)一步確定了600℃退火后的PLZT薄膜同時(shí)具有三方相和四方相,這與XRD測(cè)試結(jié)果是一致的。 (5)通過(guò)對(duì)樣品進(jìn)行光伏特性測(cè)試發(fā)現(xiàn),當(dāng)La含量逐漸增加達(dá)到6%時(shí),光生電壓達(dá)到了極大值;當(dāng)La含量進(jìn)一步增加時(shí),光生電壓反而減小。光生電壓的減小一方面可能是由于PLZT的晶格常數(shù)隨著La含量的增加而逐漸減小,鍵能增加,束縛電子需要獲得更高的能量才能成為自由電子;另一發(fā)面可能是由于當(dāng)La含量到達(dá)一定值時(shí),引入的氧空位和缺陷等增加了載流子的復(fù)合中心,減小了自由載流子的壽命,從而使光生電壓減小。 【關(guān)鍵詞】:PLZT薄膜 溶膠-凝膠法 光學(xué)性質(zhì) 鐵電性質(zhì) 光伏效應(yīng)
【學(xué)位授予單位】:華東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2012
【分類號(hào)】:O484.1
【目錄】:
  • 摘要6-8
  • Abstract8-11
  • 目錄11-13
  • 第一章 緒論13-23
  • 1.1 鐵電材料概述13-14
  • 1.2 鐵電薄膜的制備方法14-18
  • 1.2.1 金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOVCD)15-16
  • 1.2.2 脈沖激光沉積(PLD)16
  • 1.2.3 分子束外延法(MBE)16-17
  • 1.2.4 溶膠-疑膠(So丨-gel)法17-18
  • 1.3 鋯鐵酸鉛鑭(PLZT)材料概述18-23
  • 1.3.1 鋯鈦酸鉛鑭的結(jié)構(gòu)19-21
  • 1.3.2 鋯鈦酸鉛鑭的研究現(xiàn)狀及前景21
  • 1.3.3 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義21-23
  • 第二章 PLZT薄膜的制備和結(jié)構(gòu)23-38
  • 2.1 PLZT薄膜的制備23-25
  • 2.2 PLZT薄膜的XRD測(cè)試25-33
  • 2.2.1 XRD測(cè)試簡(jiǎn)介25-26
  • 2.2.2 Si襯底上的PLZT薄膜的XRD26-28
  • 2.2.3 SiO_2/Si襯底上的PLZT薄膜的XRD28-29
  • 2.2.4 LNO/Si襯底上的PLZT薄膜的XRD29-33
  • 2.3 PLZT薄膜的鐵電和介電特性33-37
  • 2.3.1 電學(xué)測(cè)試簡(jiǎn)介33
  • 2.3.2 PLZT薄膜的鐵電特性33-36
  • 2.3.3 PLZT薄膜的介電性能36-37
  • 2.4 本章小結(jié)37-38
  • 第三章 PLZT薄膜的光學(xué)性質(zhì)38-46
  • 3.1 PLZT薄膜的橢圓偏振光譜38-41
  • 3.1.1 橢圓偏振光譜簡(jiǎn)介38-39
  • 3.1.2 PLZT薄膜的橢圓偏振光譜測(cè)試分析39-41
  • 3.2 PLZT薄膜的紅外光譜41-43
  • 3.2.1 傅立葉變換紅外光譜(FTIR)簡(jiǎn)介41-42
  • 3.2.2 PLZT薄膜的紅外光譜測(cè)試分析42-43
  • 3.3 PLZT薄膜的拉曼(Raman)光譜43-44
  • 3.3.1 拉曼(Raman)光譜簡(jiǎn)介43
  • 3.3.2 PLZT薄膜的Raman光譜測(cè)試分析43-44
  • 3.4 本章小結(jié)44-46
  • 第四章 PLZT薄膜的光伏效應(yīng)46-55
  • 4.1 P-N結(jié)的光伏效應(yīng)簡(jiǎn)介46-48
  • 4.2 PLZT薄膜的光伏效應(yīng)48-51
  • 4.3 PLZT薄膜光伏效應(yīng)測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)51-52
  • 4.4 PLZT薄膜的光伏效應(yīng)測(cè)試及分析52-54
  • 4.5 本章小結(jié)54-55
  • 第五章 總結(jié)與展望55-58
  • 參考文獻(xiàn)58-62
  • 致謝62-63
  • 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文目錄63


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