晶體硅太陽(yáng)能電池絨面的反應(yīng)離子刻蝕制備研究

【摘要】：以SF6和O2為反應(yīng)氣體,采用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)技術(shù),在單晶硅襯底表面制備了錐型絨面結(jié)構(gòu),系統(tǒng)地研究了關(guān)鍵刻蝕條件對(duì)RIE晶硅表面制絨的影響。結(jié)果表明,隨著反應(yīng)氣壓增大,晶體硅表面錐型結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)分布均勻和高度增加的趨勢(shì),但過(guò)高氣壓下錐型微結(jié)構(gòu)向脊型轉(zhuǎn)變直至消失。在反應(yīng)氣體中摻入CH4,晶體硅表面錐型結(jié)構(gòu)高度增加,表面平均反射率下降到5.63%。該結(jié)果可解釋為:氣壓增大導(dǎo)致的F原子刻蝕的增強(qiáng)有利于錐體結(jié)構(gòu)高度增加,小尺寸的Si OyFx聚合物掩模的完全刻蝕使錐型結(jié)構(gòu)的尺寸逐漸均勻,而過(guò)高的氣壓下,掩模及晶體硅的過(guò)量刻蝕導(dǎo)致微結(jié)構(gòu)只剩錐體底部的脊型凸起。CH4摻入導(dǎo)致CHx聚合物的掩模和粒子轟擊效應(yīng)均有增強(qiáng),更有利于高縱橫比錐型微結(jié)構(gòu)的形成。 【作者單位】： 河北大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 反應(yīng)離子刻蝕 錐型絨面結(jié)構(gòu) 晶體硅 太陽(yáng)能電池
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： (Received 10 November 2014)1引言傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝中濕法刻蝕產(chǎn)生的環(huán)境和水資源的污染以及化學(xué)廢棄物的處理成本成為影響產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要問(wèn)題[1-3]。為了解決這些問(wèn)題,干法刻蝕工藝逐漸引起了人們的興趣和關(guān)注。通過(guò)干法刻蝕,在晶體硅電池表面制備絨面結(jié)構(gòu),增加硅片表

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