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多元醇溶液化學(xué)膠體墨水法CuInSe_2納米晶、薄膜制備與光伏應(yīng)用

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多元醇溶液化學(xué)膠體墨水法CuInSe_2納米晶、薄膜制備與光伏應(yīng)用【摘要】:CuInSe_2(CIS)材料以其優(yōu)越的光電性能,做為光吸收層材料在薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域有著重要的地位和廣

【摘要】:CuInSe_2(CIS)材料以其優(yōu)越的光電性能,做為光吸收層材料在薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域有著重要的地位和廣闊的發(fā)展前景。納米晶墨水法是近年來(lái)迅速發(fā)展的一種低成本、非真空環(huán)境下沉積CIS薄膜的技術(shù)。本文首次選擇多元醇做為反應(yīng)熱溶劑,采用熱注入工藝,成功制備出單相、近單分散、符合化學(xué)計(jì)量比的CIS納米粒子、納米片晶、納米粒子和納米片晶的混晶形態(tài)。將CIS納米晶超聲分散在乙醇中,制備出穩(wěn)定的膠體墨水,采用浸漬-提拉成膜工藝,制備出高質(zhì)量的CIS薄膜。進(jìn)一步在Ar氣中退火熱處理,制備出高結(jié)晶性、高致密度、強(qiáng)烈(112)晶面取向的黃銅礦CIS薄膜。將墨水薄膜做為吸收層材料組裝了Mo/CIS/CdS/i–ZnO, n–ZnO/Ag, Al型試驗(yàn)光伏器,得到了一定的光電轉(zhuǎn)換效率。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,以乙二醇(EG)、二乙二醇(DEG)和三乙二醇(TEG)做為反應(yīng) 熱溶劑,水合肼(N_2H_4·H_2O)為還原劑制備的CIS納米粒子的分散性會(huì)隨著多元醇碳鏈的增加得到明顯改善,TEG為反應(yīng)熱溶劑時(shí)制備的黃銅礦CIS納米粒子的分散性最好,粒子呈現(xiàn)近球多變形形狀,平均粒徑約為10.5nm,且符合1/1/2相的化學(xué)計(jì)量比。TEG體系下,提高反應(yīng)溫度能增加CIS納米粒子的平均尺寸和尺寸分布的均勻性。實(shí)驗(yàn)表明此體系是一個(gè)快速爆發(fā)、一步生成三元CIS晶核,迅速生長(zhǎng)的過(guò)程,反應(yīng)在1min左右就基本結(jié)束,進(jìn)一步延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間對(duì)于晶粒的長(zhǎng)大影響不大,后期的奧斯瓦爾德熟化能促使晶粒略有長(zhǎng)大,且粒徑分布更窄,接近單分散。 TEG體系下,以乙二胺(En)為還原劑時(shí),改變熱注入工藝程序能制備出直徑為100~600nm的表面粗糙的多晶閃鋅礦CIS納米片和200~400nm之間、徑厚比約為10的表面光滑的單晶閃鋅礦CIS納米片,且該納米片具有閃鋅礦(111)晶面取向。通過(guò)對(duì)不同反應(yīng)時(shí)間產(chǎn)物的XRD、EDS、TEM和HRTEM的研究表明,CIS納米片晶是先生成二元的CuSe納米片,隨后發(fā)生相變轉(zhuǎn)變?yōu)镃IS納米片晶的。PVP的存在能明顯改善CIS納米片晶的分散性,機(jī)理是通過(guò)PVP強(qiáng)極性的?;倌軋F(tuán)與CIS納米晶表面配位,利用空間位阻作用達(dá)到穩(wěn)定分散的目的。溶液中同時(shí)加入N_2H_4·H_2O和En時(shí),產(chǎn)物為CIS納米粒子和納米片的混晶,粒子和片晶的相對(duì)含量可以通過(guò)調(diào)節(jié)N_2H_4·H_2O和En的相對(duì)比例進(jìn)行控制,增加En的相對(duì)含量能增加片晶的比例。 CIS納米晶墨水的分散性對(duì)于最終的成膜質(zhì)量影響較大,分散性好的納米晶通過(guò)浸漬-提拉成膜后較為平整、致密且無(wú)多孔現(xiàn)象,在Ar氣熱處理后致密度和結(jié)晶性都有一定提高。CIS納米混晶薄膜的(112)擇優(yōu)取向會(huì)隨著片晶含量比例的增加而加大,(112)方向擇優(yōu)取向因子能從1.2增加至14.5。閃鋅礦CIS片晶薄膜580°C退火后會(huì)發(fā)生相變轉(zhuǎn)化為熱力學(xué)更穩(wěn)定的黃銅礦CIS薄膜,同時(shí)薄膜的致密性和晶粒大小都有著明顯的增加,且(112)晶面方向擇優(yōu)取向因子高達(dá)270.9。 將CIS納米粒子和納米片混晶構(gòu)成的薄膜熱處理后做吸收層,組裝Mo/CIS/CdS/i–ZnO/n–ZnO/Ag,Al薄膜試驗(yàn)電池,AM1.5光照下開路電壓V_(OC)為255mV,短路電流J_(SC)為2.1mA·cm~(-2),填充因子FF為0.29,光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到0.16%。以580oC熱處理后的CIS片晶薄膜組裝的電池AM1.5光照下開路電壓和短路電流能達(dá)到了249mV和1.97mA·cm~(-2),填充因子達(dá)到了0.36,光電轉(zhuǎn)換效率為0.18%。 【關(guān)鍵詞】:銅銦硒化合物 納米粒子 納米片 多元醇溶液合成 墨水法薄膜 高取向結(jié)構(gòu) 光伏應(yīng)用
【學(xué)位授予單位】:天津大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2012
【分類號(hào)】:TB383
【目錄】:
  • 摘要3-5
  • ABSTRACT5-10
  • 第一章 緒論10-35
  • 1.1 引言10-11
  • 1.2 太陽(yáng)電池的分類及發(fā)展11-17
  • 1.2.1 硅太陽(yáng)電池12-13
  • 1.2.2 無(wú)機(jī)化合物薄膜太陽(yáng)電池13-15
  • 1.2.3 納米晶太陽(yáng)電池15-16
  • 1.2.4 有機(jī)太陽(yáng)電池16-17
  • 1.3 CuInSe_2薄膜材料17-22
  • 1.3.1 CuInSe_2的晶體結(jié)構(gòu)17-19
  • 1.3.2 CuInSe_2的光學(xué)帶隙和吸收系數(shù)19-20
  • 1.3.3 CuInSe_2的電學(xué)性質(zhì)20-22
  • 1.4 CuInSe_2薄膜制備方法22-28
  • 1.4.1 多元共蒸發(fā)法22-23
  • 1.4.2 濺射法23-24
  • 1.4.3 金屬預(yù)制層后硒化法24
  • 1.4.4 電沉積法24-25
  • 1.4.5 連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法25-26
  • 1.4.6 溶液法和納米晶墨水法26-28
  • 1.5 液相法合成納米材料的機(jī)理28-32
  • 1.5.1 晶體成核29-30
  • 1.5.2 晶體生長(zhǎng)30-31
  • 1.5.3 納米粒子的分散和穩(wěn)定31-32
  • 1.6 課題的提出及創(chuàng)新32-35
  • 第二章 乙二醇和松油醇體系 CuInSe_2納米晶的制備與特征35-48
  • 2.1 引言35
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)部分35-41
  • 2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備35-36
  • 2.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置36-37
  • 2.2.3 實(shí)驗(yàn)步驟37-39
  • 2.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)39-40
  • 2.2.5 測(cè)試與表征40-41
  • 2.3 結(jié)果與討論41-47
  • 2.3.1 不同溶劑體系的選擇41-43
  • 2.3.2 EG 體系下不同回流時(shí)間的影響43
  • 2.3.3 EG 體系下不同熱注入方式對(duì)產(chǎn)物的影響43-45
  • 2.3.4 EG 體系下不同水合肼注入量對(duì)產(chǎn)物的影響45-47
  • 2.4 主要結(jié)論47-48
  • 第三章 多元醇體系 CuInSe_2納米晶的制備與表征48-74
  • 3.1 引言48-49
  • 3.2 實(shí)驗(yàn)部分49-55
  • 3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備49-50
  • 3.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置與步驟50-52
  • 3.2.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)52-54
  • 3.2.4 測(cè)試與表征54-55
  • 3.3 結(jié)果與討論55-72
  • 3.3.1 不同溶劑的選擇55-59
  • 3.3.2 TEG 體系下不同反應(yīng)溫度的影響59-63
  • 3.3.3 TEG 體系下溶液化學(xué)反應(yīng)的討論63-64
  • 3.3.4 TEG 體系下不同反應(yīng)時(shí)間的影響64-65
  • 3.3.5 TEG 體系下 PVP 對(duì)于納米晶分散性和形貌的影響65-67
  • 3.3.6 TEG 體系下水合肼及乙二胺對(duì)于納米晶的影響67-69
  • 3.3.7 TEG 體系下不同化學(xué)計(jì)量比的討論69-71
  • 3.3.8 TEG 體系下添加劑對(duì)于納米晶的影響71-72
  • 3.4 主要結(jié)論72-74
  • 第四章 三乙二醇體系制備單分散的 CuInSe_2納米片74-103
  • 4.1 引言74-75
  • 4.2 實(shí)驗(yàn)部分75-81
  • 4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備75
  • 4.2.2 實(shí)驗(yàn)步驟75-78
  • 4.2.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)78-80
  • 4.2.4 測(cè)試與表征80-81
  • 4.3 結(jié)果與討論81-101
  • 4.3.1 不同工藝的選擇81-86
  • 4.3.2 不同回流時(shí)間的影響86-93
  • 4.3.3 不同溫度模式的影響93-95
  • 4.3.4 不同 PVP 含量的影響95-97
  • 4.3.5 不同乙二胺含量對(duì)產(chǎn)物的影響97-98
  • 4.3.6 不同乙二胺和水合肼的混加含量對(duì)產(chǎn)物的影響98-101
  • 4.4 主要結(jié)論101-103
  • 第五章 膠體墨水法制備 CuInSe_2薄膜及其光伏應(yīng)用103-134
  • 5.1 引言103-104
  • 5.2 實(shí)驗(yàn)部分104-112
  • 5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備104-105
  • 5.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置105-106
  • 5.2.3 實(shí)驗(yàn)步驟106-108
  • 5.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)108-111
  • 5.2.5 測(cè)試與表征111-112
  • 5.3 結(jié)果與討論112-132
  • 5.3.1 EG 體系下熱處理對(duì) CIS 薄膜的影響112-113
  • 5.3.2 TEG 體系下熱處理溫度對(duì)的 CIS 納米晶薄膜的影響113-117
  • 5.3.3 輔助劑含量對(duì)熱處理后 CIS 薄膜的影響117-119
  • 5.3.4 墨水濃度對(duì)于 CIS 薄膜形貌及厚度的影響119-120
  • 5.3.5 陶瓷坩堝中熱處理溫度對(duì) CIS 納米片晶薄膜的影響120-124
  • 5.3.6 石墨坩堝熱處理對(duì) CIS 納米片晶薄膜的影響124-127
  • 5.3.7 CBD 工藝制備 CdS 薄膜127-128
  • 5.3.8 CIS 納米粒子薄膜的光伏應(yīng)用128-131
  • 5.3.9 CIS 納米片晶薄膜的光伏應(yīng)用131-132
  • 5.4 主要結(jié)論132-134
  • 第六章 結(jié)論134-138
  • 參考文獻(xiàn)138-148
  • 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明148-150
  • 致謝150


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  8. 新型Ⅱ-Ⅵ族半導(dǎo)體分級(jí)納米陣列結(jié)構(gòu)及光伏電池研究
    2024-08-19
  9. 基于石墨烯與硅納米結(jié)構(gòu)高性能光伏器件的構(gòu)造與光電性能研究
    2024-08-19
  10. 納米結(jié)構(gòu)氧化鋅的可控制備及其光伏性能研究
    2024-08-19
  11. 基于硅納米線陣列的有機(jī)/無(wú)機(jī)雜化光伏電池的制備及性能表征研究
    2024-08-19
  12. 利用綠色化學(xué)法合成具有光伏性能的半導(dǎo)體納米晶
    2024-08-19
  13. 基于有機(jī)—無(wú)機(jī)雜化的雙層異質(zhì)結(jié)、體異質(zhì)結(jié)及有序納米陣列異質(zhì)結(jié)光伏器件的研究
    2024-08-19
  14. 納米晶膠體墨水技術(shù)CuInSe_2黃銅礦薄膜的制備、表征與光伏應(yīng)用
    2024-08-19
  15. 納米ZnO基有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合光伏器件研究
    2024-08-19