多元醇溶液化學(xué)膠體墨水法CuInSe_2納米晶、薄膜制備與光伏應(yīng)用
多元醇溶液化學(xué)膠體墨水法CuInSe_2納米晶、薄膜制備與光伏應(yīng)用【摘要】:CuInSe_2(CIS)材料以其優(yōu)越的光電性能,做為光吸收層材料在薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域有著重要的地位和廣
【學(xué)位授予單位】:天津大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2012
【分類號(hào)】:TB383
【目錄】:
- 摘要3-5
- ABSTRACT5-10
- 第一章 緒論10-35
- 1.1 引言10-11
- 1.2 太陽(yáng)電池的分類及發(fā)展11-17
- 1.2.1 硅太陽(yáng)電池12-13
- 1.2.2 無(wú)機(jī)化合物薄膜太陽(yáng)電池13-15
- 1.2.3 納米晶太陽(yáng)電池15-16
- 1.2.4 有機(jī)太陽(yáng)電池16-17
- 1.3 CuInSe_2薄膜材料17-22
- 1.3.1 CuInSe_2的晶體結(jié)構(gòu)17-19
- 1.3.2 CuInSe_2的光學(xué)帶隙和吸收系數(shù)19-20
- 1.3.3 CuInSe_2的電學(xué)性質(zhì)20-22
- 1.4 CuInSe_2薄膜制備方法22-28
- 1.4.1 多元共蒸發(fā)法22-23
- 1.4.2 濺射法23-24
- 1.4.3 金屬預(yù)制層后硒化法24
- 1.4.4 電沉積法24-25
- 1.4.5 連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法25-26
- 1.4.6 溶液法和納米晶墨水法26-28
- 1.5 液相法合成納米材料的機(jī)理28-32
- 1.5.1 晶體成核29-30
- 1.5.2 晶體生長(zhǎng)30-31
- 1.5.3 納米粒子的分散和穩(wěn)定31-32
- 1.6 課題的提出及創(chuàng)新32-35
- 第二章 乙二醇和松油醇體系 CuInSe_2納米晶的制備與特征35-48
- 2.1 引言35
- 2.2 實(shí)驗(yàn)部分35-41
- 2.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備35-36
- 2.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置36-37
- 2.2.3 實(shí)驗(yàn)步驟37-39
- 2.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)39-40
- 2.2.5 測(cè)試與表征40-41
- 2.3 結(jié)果與討論41-47
- 2.3.1 不同溶劑體系的選擇41-43
- 2.3.2 EG 體系下不同回流時(shí)間的影響43
- 2.3.3 EG 體系下不同熱注入方式對(duì)產(chǎn)物的影響43-45
- 2.3.4 EG 體系下不同水合肼注入量對(duì)產(chǎn)物的影響45-47
- 2.4 主要結(jié)論47-48
- 第三章 多元醇體系 CuInSe_2納米晶的制備與表征48-74
- 3.1 引言48-49
- 3.2 實(shí)驗(yàn)部分49-55
- 3.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備49-50
- 3.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置與步驟50-52
- 3.2.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)52-54
- 3.2.4 測(cè)試與表征54-55
- 3.3 結(jié)果與討論55-72
- 3.3.1 不同溶劑的選擇55-59
- 3.3.2 TEG 體系下不同反應(yīng)溫度的影響59-63
- 3.3.3 TEG 體系下溶液化學(xué)反應(yīng)的討論63-64
- 3.3.4 TEG 體系下不同反應(yīng)時(shí)間的影響64-65
- 3.3.5 TEG 體系下 PVP 對(duì)于納米晶分散性和形貌的影響65-67
- 3.3.6 TEG 體系下水合肼及乙二胺對(duì)于納米晶的影響67-69
- 3.3.7 TEG 體系下不同化學(xué)計(jì)量比的討論69-71
- 3.3.8 TEG 體系下添加劑對(duì)于納米晶的影響71-72
- 3.4 主要結(jié)論72-74
- 第四章 三乙二醇體系制備單分散的 CuInSe_2納米片74-103
- 4.1 引言74-75
- 4.2 實(shí)驗(yàn)部分75-81
- 4.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備75
- 4.2.2 實(shí)驗(yàn)步驟75-78
- 4.2.3 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)78-80
- 4.2.4 測(cè)試與表征80-81
- 4.3 結(jié)果與討論81-101
- 4.3.1 不同工藝的選擇81-86
- 4.3.2 不同回流時(shí)間的影響86-93
- 4.3.3 不同溫度模式的影響93-95
- 4.3.4 不同 PVP 含量的影響95-97
- 4.3.5 不同乙二胺含量對(duì)產(chǎn)物的影響97-98
- 4.3.6 不同乙二胺和水合肼的混加含量對(duì)產(chǎn)物的影響98-101
- 4.4 主要結(jié)論101-103
- 第五章 膠體墨水法制備 CuInSe_2薄膜及其光伏應(yīng)用103-134
- 5.1 引言103-104
- 5.2 實(shí)驗(yàn)部分104-112
- 5.2.1 實(shí)驗(yàn)原料設(shè)備104-105
- 5.2.2 實(shí)驗(yàn)裝置105-106
- 5.2.3 實(shí)驗(yàn)步驟106-108
- 5.2.4 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)108-111
- 5.2.5 測(cè)試與表征111-112
- 5.3 結(jié)果與討論112-132
- 5.3.1 EG 體系下熱處理對(duì) CIS 薄膜的影響112-113
- 5.3.2 TEG 體系下熱處理溫度對(duì)的 CIS 納米晶薄膜的影響113-117
- 5.3.3 輔助劑含量對(duì)熱處理后 CIS 薄膜的影響117-119
- 5.3.4 墨水濃度對(duì)于 CIS 薄膜形貌及厚度的影響119-120
- 5.3.5 陶瓷坩堝中熱處理溫度對(duì) CIS 納米片晶薄膜的影響120-124
- 5.3.6 石墨坩堝熱處理對(duì) CIS 納米片晶薄膜的影響124-127
- 5.3.7 CBD 工藝制備 CdS 薄膜127-128
- 5.3.8 CIS 納米粒子薄膜的光伏應(yīng)用128-131
- 5.3.9 CIS 納米片晶薄膜的光伏應(yīng)用131-132
- 5.4 主要結(jié)論132-134
- 第六章 結(jié)論134-138
- 參考文獻(xiàn)138-148
- 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表論文和科研情況說(shuō)明148-150
- 致謝150
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