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1—14μmPV(光伏)HgCdTe陣列的性能

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時(shí)間:2024-08-19 03:51:54
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1—14μmPV(光伏)HgCdTe陣列的性能【摘要】:最近對(duì)HgCdTe外延生長(zhǎng)技術(shù)和器件表面鈍化的研究,使光伏型紅外探測(cè)器主要性能得以改進(jìn)。以CdTe為襯底,用液相外延法,能生

【摘要】:最近對(duì)HgCdTe外延生長(zhǎng)技術(shù)和器件表面鈍化的研究,使光伏型紅外探測(cè)器主要性能得以改進(jìn)。以CdTe為襯底,用液相外延法,能生長(zhǎng)具有任何組分的薄層HgCdTe,用這種材料制作探測(cè)器,其峰值響應(yīng)能在1至14μm波長(zhǎng)內(nèi)進(jìn)行調(diào)整。本文介紹了形成結(jié)的兩種方式,即注入同質(zhì)結(jié)和雙層異質(zhì)結(jié)。還報(bào)導(dǎo)了探測(cè)度受背景輻射限制(BLIP)的情況。為了設(shè)計(jì)1-3、3-5和8-14μm波段的二極管,從理論上預(yù)測(cè)了R_0A~((*))、頻率和結(jié)偏壓與暗噪聲電流的關(guān)系,并以5×10~(-15)A/Hz~(1(?)2)來表征。這表明可以根據(jù)產(chǎn)生-復(fù)合(G-R)電流和少數(shù)載流子擴(kuò)散電流的機(jī)理,在所關(guān)心的波長(zhǎng)和溫度下,討論器件的性 【關(guān)鍵詞】材料制作 溫度 高性能 光電二極管 異質(zhì)結(jié) 均勻性 探測(cè)器陣列 層厚度 橫截面 紅外探測(cè)器
【正文快照】: 一、月lJ舀 隨著現(xiàn)代紅外(IR)探測(cè)系統(tǒng)的飛速發(fā)展,它的應(yīng)用越來越廣泛,這是眾所周知的?,F(xiàn)在已探尋到一種焦平面設(shè)計(jì)方案,它能解決目前發(fā)展中提出的大多數(shù)問題。因?yàn)樵趹?zhàn)略和戰(zhàn)術(shù)的應(yīng)用中,掃描模式和凝視模式是最引人關(guān)注的方式,因而,近幾年已有人把背面照光混合焦平面陣列(HF

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