GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N異質結的光伏特性

【摘要】：測量了液相外延生長的GaAs-Al_xGa_(1-x)As n -N異質結 300K和 77K下的光伏響應的光譜分布,證明異質結界面上存在著較多的界面能級.能帶形狀在界面上有兩個背對背的勢壘.在禁帶中離AlxGa_(1-x)As導帶邊 0.7-0.8eV處有一個類受主界面能級.在某些特定條件下,這種n-N異質結在光照和溫度作用下可具有多態(tài)變化,它和界面態(tài)上電子的捕獲和釋放有關. 【作者單位】： 北京大學物理系 北京大學物理系
【關鍵詞】： 異質結 光伏特性 光伏響應 界面能級 AIGaAs 鎖相放大器 光伏譜 界面態(tài) 費米能級 電子態(tài)
【正文快照】： 一、引言 早在六十年代初期,異質結的某些特點已吸引了人們的注意川.但由于異質結界面上存在著大量的缺陷,載流子將在界面上復合掉,使注人和放大功能不能實現(xiàn).雖然對異質結的能帶,電學和光學特性有過不少的研究比3]:卻一直未能得到較理想的器件.直到六十年代末期選擇了GaAs一A

您可以在本站搜索以下學術論文文獻來了解更多相關內容

高摻雜半導體中補償程度和注入水平對帶尾結構的影響    郭長志,李國華

(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能級    高季林,吳榮漢,李照銀,高淑芬

能帶結構對InGaAsP半導體光增益譜的影響    郭長志,黃永箴

GaAlAs/GaAs HBT的現(xiàn)狀和應用展望    徐士杰

三組三元合金異質結的價帶帶階    鄭金成,王仁智,鄭永梅,蔡淑惠

分子束外延選擇性摻雜的GaAs/N-Al_xGa_(1-X)As異質結中的二維電子氣    江丕桓,李月霞,楊富華,王杏華

P-AlGaAs/n-GaAs異質結載流子輸運機理    朱文章,劉士毅

Ga_xIn_(1-x)P-GaAs的液相外延生長    虞麗生,劉宏勛,陳娓兮,何暉,孫毅,吳鐳

MOCVD制備GaAs/AlGaAs異質結和異質結雙極晶體管(HBT)的研究    黃柏標,劉士文,任紅文,劉立強,蔣民華,徐現(xiàn)剛

硫鈍化GaAs異質結雙極型晶體管取得明顯效果    

非對稱異質結型量子阱光伏探測器    王會武,陳正豪,何萌,崔大復

藍紫光范圍靈敏的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As異質結光晶體管    黃小康,孫寶寅,孫成城,薛保興,張培榮

《固體電子學研究與進展》總目錄 第3卷 第1—4期 1983年    

Study of the Performance on Planar GaAs Radio Frequency Diode Mixer Device    

In_xGa_(1-x)As/GaAs自組織量子點材料、物理與器件    牛智川;王曉東;汪輝;孔云川;瀾清;周大勇;苗振華;封松林;

國家同步輻射實驗室在半導體表面界面方面的研究進展    徐彭壽;陸爾東;張發(fā)培;徐世紅;張新夷;趙特季;方容川;金曉峰;

GaAs基異變量子阱    朱巖;倪海橋;王海莉;賀繼方;李密峰;尚向軍;牛智川;

GaAs與Si之間過渡層的設計及其分析    譚紅琳;王雪雯;

新一代高速光通信網(wǎng)絡用低成本、低功耗、高性能GaAs基1.3微米量子點激光器的研究    季海銘;徐鵬飛;谷永先;楊曉光;楊濤;

空穴注入結構對有機電致發(fā)光器件性能影響    曹國華;關敏;曹俊松;李林森;曾一平;

金剛石薄膜/氧化鋅薄膜異質結研制和性質研究    楊潔;

GaAs器件壽命試驗及其方法比較    崔曉英;

光電器件用GaAs襯底材料的技術發(fā)展    牛沈軍;王建利;豐梅霞;周傳新;蘭天平;

砷化鎵集成電路應用前景展望    青山

四十六所：以GaAs生產(chǎn)為主    王小慶

日益豐富的半導體材料    CCID微電子研究所

高頻器件“三國演義”    本報記者 孫定

電子信息材料發(fā)展趨勢    《技術預測與國家關鍵技術選擇》研究組、新材料領域組

納米半導體材料的評價技術    中國科學院半導體研究所，半導體材料科學重點實驗室 王占國

加強信息功能材料和器件研究的建議    王占國

實現(xiàn)GaAs技術的產(chǎn)業(yè)化    

LED顯示屏發(fā)展歷程30年回顧    

化合物半導體材料開始步入產(chǎn)業(yè)化    

Si/SiGe異質結器件研究    楊沛鋒

GaAs、GaSb基材料生長及其器件研究    李冰寒

砷化鎵基高溫HBT器件及其特性研究    劉文超

高功率GaAs光電導開關的特性與擊穿機理研究    田立強

GaAs光電陰極智能激活與結構設計研究    楊智

GaAs光電導開關中載流子輸運規(guī)律研究    屈光輝

變摻雜GaAs光電陰極特性及評估研究    牛軍

基于受激拉曼散射效應的窄帶GaAs太赫茲輻射源及新型太赫茲探測技術的理論研究    王卓

第三代像增強器研究    李曉峰

InP基及含磷異質結雙極晶體管材料結構設計與氣態(tài)源分子束外延生長研究    徐安懷

GaAs基HBT材料的外延生長及其特性研究    彭鵬

熱電應力下Si/SiGe/Si異質結雙極晶體管（HBTs）可靠性實驗研究    劉海江

大直徑SI-GaAs中缺陷的微觀特性及其分布    趙彥橋

摻雜GaAs電子結構和光學性質的理論研究    宿磊

GaAs材料光電性質第一性原理研究    陳啟燊

GaAs高頻大功率場效應晶體管設計    康建磊

新型GaAs基和Si基光電子材料系的研究    楊躍

SiCGe/SiC異質結光電二極管的數(shù)值模擬與特性分析    呂政

GaAs光電陰極表面狀態(tài)及凈化技術研究    劉暉

GaAs毫米波寬帶功率MMIC    王生國