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HgCdTe光伏探測器的C—V特性

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時間:2024-08-19 03:51:06
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HgCdTe光伏探測器的C—V特性【摘要】:正 引言HgCdTe是一種具有獨特性能的材料,制備P—n結(jié)又常用Hg擴散方法,它與常規(guī)的雜質(zhì)擴散又有不同,加之材料的組分、結(jié)構(gòu)及其固有的

【摘要】:正 引言HgCdTe是一種具有獨特性能的材料,制備P—n結(jié)又常用Hg擴散方法,它與常規(guī)的雜質(zhì)擴散又有不同,加之材料的組分、結(jié)構(gòu)及其固有的十分小的電子有效質(zhì)量往往引起n型材料的簡并等等問題,使成結(jié)工藝增加許多復(fù)雜因素。為了提高元件水平改進工藝,有必要對P—n結(jié)的特性作深入了解。測定P—n結(jié)的C—V(電容—電壓)特 【關(guān)鍵詞】光伏探測器 測量結(jié)果 電子有效質(zhì)量 改進工藝 突變結(jié) 雜質(zhì)擴散 結(jié)電阻 獨特性 簡并 電容電橋
【正文快照】: 日1.拿.J.‘二J HgCdTe是一種具有獨特性能的材料,制備尸一n結(jié)又常用Hq擴散方法,它與常規(guī)的雜質(zhì)擴散又有不同,加之材料的組分、結(jié)構(gòu)及其固有的十分小的電子有效質(zhì)量往往引起n型材料的簡并等等問題,使成結(jié)工藝增加許多復(fù)雜因素。為了提高元件水平改進工藝,有必要對尸一n結(jié)的特

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