雙光束瞬態(tài)光伏譜測(cè)量半導(dǎo)體深能級(jí)

【摘要】：提出一種測(cè)量半導(dǎo)體深能級(jí)的新方法——雙光束瞬態(tài)光伏譜.與目前測(cè)量深能級(jí)通常采用的方法DLTS相比,具有兩個(gè)突出的優(yōu)點(diǎn),對(duì)被測(cè)樣品無(wú)破壞性和可直接測(cè)量單晶的深能級(jí).測(cè)量了摻金硅單晶和電子輻照硅單晶的深能級(jí),結(jié)果與公認(rèn)值完全符合. 【作者單位】： 集美航海學(xué)院物理室 廈門(mén)大學(xué)物理學(xué)系 廈門(mén)大學(xué)物理學(xué)系
【關(guān)鍵詞】： 深能級(jí) 光伏譜 雙光束
【正文快照】： 深能級(jí)對(duì)半導(dǎo)體的性能有決定性的影響.因而一直是被廣泛重視和研究的課題.目前測(cè)量半導(dǎo)休中深能級(jí)一般是采用DLTS方法,但DLTS不能對(duì)單晶半導(dǎo)體直接進(jìn)行測(cè)量,它要求被測(cè)樣品具有p一n結(jié),并要求制作樣品電極.這里我們提出一種測(cè)量半導(dǎo)體深能級(jí)的新方法—雙光束瞬態(tài)光伏譜法,該方

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