光伏法測量AlAs/GaAs超晶格子帶間光躍遷

【摘要】：采用電容耦合法,在18—300K溫度范圍內(nèi)測量了AlAs/GaAs超晶格的光伏譜.在100K以下,光伏曲線反映了臺階式二維狀態(tài)密度分布,可觀測到6個(gè)信號峰.采用Kronig-Penney模型計(jì)算勢阱中導(dǎo)帶和價(jià)帶子帶的位置和帶寬,共有3個(gè)導(dǎo)帶子帶,6個(gè)重空穴子帶和3個(gè)輕空穴子帶.根據(jù)宇稱守恒確定光躍遷選擇定則,對6個(gè)峰進(jìn)行指認(rèn).實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論計(jì)算的結(jié)果基本相符合. 【作者單位】： 廈門大學(xué)物理系 廈門大學(xué)物理系 廈門大學(xué)物理系 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
【關(guān)鍵詞】： 超晶格 光伏法 子帶間 光躍遷 位移效應(yīng) 光生載流子 光伏譜 光伏效應(yīng) GaAs 熱發(fā)射
【基金】：半導(dǎo)體超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室資助
【正文快照】： 一、實(shí)驗(yàn)裝置與樣品處理 我們采用電容藕合法測量AIAs/GaA:超晶格的光伏譜.該方法的主要特點(diǎn)是無需制作樣品的電極,對樣品無破壞性,經(jīng)光伏特性測最后的樣品對其其它特性的測試沒有任何影響,而且這種方法對樣品的規(guī)格和形狀沒有什么特殊要求. 實(shí)驗(yàn)裝置如圖ltl],AIAs/GaAs超晶

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