GaAs多量子阱超晶格表面激光光伏效應(yīng)

【摘要】：正 由于MOCVD、MBE等半導(dǎo)體材料生長技術(shù)飛躍發(fā)展,半導(dǎo)體多量子阱和超晶格的制備、研究和應(yīng)用越來越引起廣泛重視。GaAs多量子阱超晶格是較為成熟的一種結(jié)構(gòu)。本文初次報(bào)道GaAs多量子阱超晶格表面激光輻照感生的光伏效應(yīng)研究結(jié)果。實(shí)驗(yàn)樣品是在〈001〉晶向半絕緣GaAs襯底上,MBE生長1.5μm n~+-GaAs緩沖層后,交替地周期生長兩種阱寬和壘寬,不同周期數(shù)的摻硅GaAs層,構(gòu)成GaAs多量子阱超晶格結(jié)構(gòu)。激 【作者單位】： 北京大學(xué)物理系 北京大學(xué)物理系 中國科學(xué)院物理研究所 中國科學(xué)院物理研究所
【關(guān)鍵詞】： 多量子阱 光伏效應(yīng) 超晶格 GaAs襯底 激光輻照 半導(dǎo)體多量子阱 激光功率 激光感生電壓 超晶格結(jié)構(gòu) MOCVD
【正文快照】： 由于MOCVD、MBE等半導(dǎo)體材料十長技術(shù)飛躍發(fā)展,半導(dǎo)體多量子阱和超晶格的制備、研究和應(yīng)用越來越引起廣泛重視。GaAs多量子阱超晶格是較為成熟的一伸結(jié)構(gòu)。本文初次報(bào)道GaAs多量子阱超晶格表面激光輻照感生的光伏效應(yīng)研究結(jié)果。實(shí)驗(yàn)樣品是在001晶向半絕緣GaAs襯底上,MBE生長

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