應用光伏方法測定P型半導體表面性質

【摘要】：本文報道了應用變溫光伏方法對半導體表面能級,表面態(tài)密度的非破壞性測量原理。通過一定的模型簡化,將Shockly-Read體復合理論應用于表面,建立起P型半導體表面態(tài)對少子電子的俘獲截面估算公式。并以P型Si單晶樣品進行驗證,所得結果同有關報道一致。 【作者單位】： 廈門大學物理學系
【關鍵詞】： 變溫光伏方法 P型半導體 表面性質
【基金】：國家自然科學基金
【正文快照】： 半導休的表面性質對于半導體器件尤其是表面器件性能的影響特別敏感.測定半導體表面性質可以有場效應、接觸勢等方法,而對于表面光伏方法,由于它在強反型或強積累情況下,對表面態(tài)是不敏感的,使它在表面性質研究領域中的應用受到一定的限制,而只有對于例如表面耗盡的情況,每個

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