用光伏譜方法研究InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱的性質(zhì)

【摘要】：采用低溫光伏譜方法，研究了應(yīng)變Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ單量子阱結(jié)構(gòu)中各子能級(jí)之間的光躍遷，并與理論計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行比較，對(duì)光伏譜的譜峰躍遷能量隨溫度變化的分析，表明量子阱中的應(yīng)變與溫度基本無關(guān)．研究了光伏譜的譜峰半高寬度隨溫度的變化關(guān)系．討論了聲子關(guān)聯(lián)、混晶組分起伏及生長界面不平整對(duì)光伏譜譜峰寬度的影響 【作者單位】： 廈門大學(xué)物理系
【關(guān)鍵詞】： 應(yīng)變量子阱 光伏譜 InGaAs/GaAs 單量子阱 方法研究 半高寬度 躍遷能量 溫度變化 超晶格材料 譜峰能量
【基金】：國家自然科學(xué)基金,福建省自然科學(xué)基金
【分類號(hào)】：O471
【正文快照】： 用光伏譜方法研究ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ應(yīng)變量子阱的性質(zhì)吳正云王小軍余辛黃啟圣（廈門大學(xué)物理系，廈門３６１００５）采用低溫光伏譜方法，研究了應(yīng)變Ｉｎ０１８Ｇａ０８２／ＧａＡｓ單量子阱結(jié)構(gòu)中各子能級(jí)之間的光躍遷，并與理論計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行比較，對(duì)光伏譜的

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