InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱的低溫光伏譜
InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱的低溫光伏譜【摘要】:用光伏譜方法研究了InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)中各子能級(jí)間的光躍遷,并與理論計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行了比較.分析了光伏譜峰能量隨
【關(guān)鍵詞】: 光伏譜 應(yīng)變量子阱 InGaAs/GaAs
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)資金,福建省自然科學(xué)基金
【分類號(hào)】:TN213
【正文快照】: InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱的低溫光伏譜*吳正云王小軍余辛黃啟圣(廈門大學(xué)物理系,福建,廈門,361005)摘要用光伏譜方法研究了InGaAs/GaAs應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)中各子能級(jí)間的光躍遷,并與理論計(jì)算的結(jié)果進(jìn)行了比較.分析了光伏譜峰能量隨阱寬與溫度
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電場(chǎng)下量子阱的子能帶和光躍遷 夏建白,黃昆
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具有高跨導(dǎo)和高峰值飽和漏電流的FET 寧眾;
GaInAs/AlGaAs應(yīng)變量子阱結(jié)構(gòu)的熒光特性 王杏華,Reino Laiho
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采用應(yīng)變層量子阱的毫米波低噪聲HEMT的進(jìn)展 林緒倫
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