InGaAs/GaAs應變量子阱光伏譜激子峰展寬的研究

【摘要】：實驗得到不同溫度下應變ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱的光伏譜，通過理論計算與實驗結果的比較，對各譜峰進行了指認．本文著重考察各樣品中１１Ｈ躍遷的激子譜峰的半寬隨溫度及阱寬的變化，討論譜峰展寬機制中的聲子關聯(lián)、混晶組分起伏及界面不平整對線寬的影響． 【作者單位】： 廈門大學物理系
【關鍵詞】： 應變量子阱 光伏譜 InGaAs/GaAs 單量子阱 峰展寬 激子線寬 非均勻展寬 鎖相放大器 阱寬 低維半導體
【基金】：國家自然科學基金,福建省自然科學基金
【分類號】：O471.3,TN304.260.1
【正文快照】： １引言隨著半導體材料薄層外延技術的發(fā)展，高質量的應變ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ半導體量子阱、超晶格材料在光電子器件的應用得到廣泛的重視．用表面光伏譜方法研究量子阱、超晶格體系的光學性質無需制作樣品電極、不破壞樣品，可以避免意外沾污，對測量樣品的尺寸及結構無

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