光伏型銻化銦紅外探測器零偏結(jié)阻抗結(jié)面積乘積的分析

【摘要】：通過推導(dǎo)、求解光照情況下p~+ -n結(jié)的電流連續(xù)性方程,得出由擴(kuò)散電流機(jī)制決定的零偏結(jié)阻抗結(jié)面積乘積,并考慮了耗盡區(qū)G-R電流、隧道電流機(jī)制對R_0A乘積的影響,分析了不同的InSb材料參數(shù)及工藝參數(shù)對Cd~+擴(kuò)散光伏型InSb器件R_0A乘積的影響。最后將分析結(jié)果與實(shí)際結(jié)果進(jìn)行了比較,對提高InSb光伏器件的性能有一定的理論指導(dǎo)意義。 【作者單位】： 航空工業(yè)總公司第○一四中心
【關(guān)鍵詞】： 銻化銦 紅外探測器 零偏結(jié)阻抗結(jié)面積乘積
【分類號】：TN215
【正文快照】： l 引 言 銻化銦(InSb)是一種具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體材料,該材料具有較窄的禁帶寬度和較高的電子遷移率,在。77K下,其禁帶寬度為0.22’7eV,電子遷移率在105.10~em/V.s之間(空穴遷移率在1礦～l()4em/V.s之間)。這種材料能夠吸收易于透過大氣的3.5,-m波紅外波段,

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