應(yīng)用光伏方法估算硅單晶表面態(tài)俘獲截面

【摘要】：提出一個可以非破壞性地估算半導(dǎo)體單晶的表面態(tài)俘獲截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于變溫光伏測量 ,采用 (111) p型硅單晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )為實驗樣品 .由于表面勢壘高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面復(fù)合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面態(tài)密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法測算 ,則表面態(tài)俘獲截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 與σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通過應(yīng)用Shockley- Read體復(fù)合理論于表面而被估算 .此結(jié)果與其它方法得到的有關(guān)報導(dǎo)的結(jié)果相一致 【作者單位】： 廈門大學物理學系 廈門大學物理學系
【關(guān)鍵詞】： 表面態(tài)俘獲截面 光伏方法 硅單晶 表面復(fù)合速度 表面態(tài)密度 光伏測量 表面勢壘 福建廈門 非破壞性 新方法
【分類號】：O472.1
【正文快照】： 半導(dǎo)體單晶的表面態(tài)俘獲截面 ,表面態(tài)密度及表面勢壘高度都是影響器件 ,特別是表面器件電學性能的重要參數(shù) .測量表面態(tài)密度與表面勢壘高度的傳統(tǒng)方法有 [1 ] 電流 -電壓法、電容 -電壓法以及光電方法等 .然而 ,這些方法均需制備具有金屬 -半導(dǎo)體 ( MS)接觸的 Schottky勢壘結(jié)

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