光伏法研究硅單晶表面態(tài)真空敏感機(jī)理

【摘要】：根據(jù)光伏方法研究的半導(dǎo)體表面氣體分子吸附機(jī)理 ,提出了硅單晶表面態(tài)真空敏感效應(yīng)的機(jī)理模型 ,解釋了表面態(tài)敏感型的真空傳感器的各有關(guān)觀測結(jié)果 .因此可以確認(rèn) ,硅單晶表面態(tài)對真空敏感的實(shí)質(zhì)原因就是由于構(gòu)成大氣主要成份的氮?dú)夂脱鯕鈨煞N元素的電子親和勢相對于硅元素 ,具有明顯不同的且符號相反的差值 ,導(dǎo)致吸附于硅表面的 N2 、O2 分子與硅表面態(tài)之間不同轉(zhuǎn)移方向的電荷轉(zhuǎn)移差值可以隨真空度變化所引起的 【作者單位】： 廈門大學(xué)物理系 廈門大學(xué)物理系 廈門大學(xué)物理系 廈門大學(xué)物理系
【關(guān)鍵詞】： 半導(dǎo)體表面態(tài) 真空敏感機(jī)理 光伏方法
【分類號】：TP212
【正文快照】： 1　引言目前 ,在眾多的真空應(yīng)用領(lǐng)域中所采用的真空測量設(shè)備多為電熱偶規(guī)、離子規(guī)及其相應(yīng)的配置儀器 ,既龐雜耗電 ,又價(jià)格昂貴 ,還必須提供預(yù)備真空才能開始檢測 .即使是近年來出現(xiàn)的 Pirani真空微傳感器 [1] ,因其真空敏感機(jī)理是在一定電壓下 ,通過特定的半導(dǎo)體熱敏電阻器

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