光伏型長波HgCdTe紅外探測器的數(shù)值模擬研究
光伏型長波HgCdTe紅外探測器的數(shù)值模擬研究【摘要】:報道了光伏型長波Hg1-xCdxTe(x=0.224)n-on-p紅外探測器數(shù)值模擬研究的結(jié)果.采用二維模型,在背照射方式下
【關(guān)鍵詞】: HgCdTe 長波紅外探測器 RA積 量子效率 少子壽命
【基金】:國家自然科學(xué)基金(60244002)資助項目
【分類號】:TN215
【正文快照】: 引言Hg1-xCdxTe紅外探測器量子效率高,工作溫度范圍寬,響應(yīng)波長隨組分可調(diào),并覆蓋了重要的大氣窗口區(qū)域,性能優(yōu)良,是目前應(yīng)用最為廣泛的紅外探測器.然而人們對Hg1-xCdxTe材料的了解還遠不如Si材料,制備高質(zhì)量的Hg1-xCdxTe材料及探測器,提高器件產(chǎn)率、降低成本,仍然是研究的重
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垂直p-n結(jié)的碲鎘汞光伏探測器暗電流特性分析 史衍麗;
碲鎘汞 p~+-on-n長波異質(zhì)結(jié)探測器的研究 葉振華,吳俊,胡曉寧,巫艷,王建新,李言謹,何力
光伏型碲鎘汞長波探測器暗電流特性的參數(shù)提取研究 全知覺;李志鋒;胡偉達;葉振華;陸衛(wèi);
面向第三代紅外焦平面的碲鎘汞材料器件研究 何力,丁瑞軍,李言謹,楊建榮,張勤耀
離子束刻蝕HgCdTe環(huán)孔光電二極管及MIS器件研究 何波
TEC—PV—HgCdTe組件在10.6μm光通信中的應(yīng)用 胡渝
HgCdTe中的簡并四波混頻 王威禮,史守旭,邢啟江
N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探測器參量的選擇 胡燮榮,劉兆鵬,陳立信,方家熊,陳泉森,沈杰
MOCVD法生長HgCdTe/CdTe/GaAs多層異質(zhì)材料的特性研究 陳記安,楊臣華,丁永慶,彭瑞伍
MOCVD法生長HgCdTe/CdTe/GaAs多層異質(zhì)材料工藝研究 丁永慶,彭瑞伍,陳記安,楊臣華
離子注入HgCdTe損傷特性研究 劉心田,鐘桂英,包昌珍
光注入HgCdTe半導(dǎo)體紅外探測器原理及其數(shù)值計算 王海鵬,賈立群,楊寶成
〈大面積長波HgCdTe光導(dǎo)紅外探測器〉通過鑒定 王子孟
HgCdTe MBE技術(shù)概述 Owen K Wu,李玲
HgCdTe化學(xué)束外延 C J Summers,李玲
航天應(yīng)用的制冷機系統(tǒng) 紀國林;吳亦農(nóng);王彪;許妙根;石愛娣;劉冬毓;劉曉華;
AMBIENT TEMPERATURE MERCURY ZINC TELLURIDE PHOTODETECTORS CAN ACHIEVE DETECTIVITY HIGHER THAN 1*108 cmHz~(1/2)W~(-1) AT 10.6μm Jozef Piotrowski;Microslaw Grudzien;
P型碲鎘汞(HgCdTe)中的電流機理 黃河;
ZnS薄膜的低溫生長與表征及其對HgCdTe的表面鈍化研究 周詠東;方家熊;李言謹;龔海梅;湯定元;
In doping on MBE Grown HgCdTe
DEFECT DETECTION BY ULTRASonIC INFRARED THERMOGRAPHY
《強激光與粒子束》2003年15卷總目次
紅外光電信息材料研究進展 褚君浩;
紅外焦平面陣列技術(shù)新軍事裝備應(yīng)用 孫志君;劉俊剛;歐代永;
紅外光伏探測器的1/f噪聲譜測試 梁晉穗;黃楊程;李言謹;胡曉寧;
光電子材料 院士 徐敘瑢
九類電子材料發(fā)展評析及需求預(yù)測 中國電子材料行業(yè)協(xié)會 理事長管丕愷 理事長張臣
電子信息材料發(fā)展趨勢 《技術(shù)預(yù)測與國家關(guān)鍵技術(shù)選擇》研究組、新材料領(lǐng)域組
TEA-CO_2脈沖強激光對Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的破壞研究 蔡虎
碲鎘汞環(huán)孔P-N結(jié)理論分析與測試 邢素霞
HgCdTe致冷紅外焦平面陣列MTF測試技術(shù)研究 陳冰
HgCdTe光伏器件表面鈍化以及MIS器件制備與分析 張朝陽
從THz時間波形中提取材料參數(shù)的方法和分析 徐新龍
激光輻照碲鎘汞光電探測器實驗研究 李修乾
CdZnTe晶體的加工與表面質(zhì)量控制 查鋼強
大容量CO_2激光通信系統(tǒng)——激光脈沖信號探測和處理技術(shù) 高楊
紅外焦平面陣列MTF測試系統(tǒng)和技術(shù)研究 張志恒
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