光伏型光電探測(cè)器的激光軟損傷機(jī)制

【摘要】：對(duì)激光輻照功率密度高于探測(cè)器飽和閾值而低于其破壞閾值(中等功率的激光)時(shí)光伏型光電探測(cè)器的軟損傷進(jìn)行了理論研究,提出了一種新機(jī)制。當(dāng)激光輻照功率密度超過(guò)探測(cè)器的飽和閾值以后,載流子的帶間躍遷達(dá)到深度飽和,在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生熱載流子且熱載流子的溫度高于晶格的溫度,從而導(dǎo)致了光伏型光電探測(cè)器的電壓輸出信號(hào)隨著輻照光功率密度的增加而下降直到零壓輸出的現(xiàn)象。對(duì)激光輻照下光伏型HgCdTe探測(cè)器的輸出信號(hào)進(jìn)行了模擬計(jì)算,結(jié)果表明,輻照光功率密度處于一定范圍內(nèi)探測(cè)器的輸出信號(hào)隨著輻照光功率密度的增加而逐步下降,甚至接近于零,與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相符合。 【作者單位】： 青島科技大學(xué)數(shù)理學(xué)院 國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院 青島鋼鐵集團(tuán)公司
【關(guān)鍵詞】： 光伏型半導(dǎo)體探測(cè)器 軟損傷機(jī)制 中等功率的激光 熱載流子
【基金】：青島科技大學(xué)引進(jìn)人才科研啟動(dòng)基金資助課題(0022179) 國(guó)防科技基礎(chǔ)研究基金資助課題
【分類號(hào)】：TN36
【正文快照】： 隨著光電子技術(shù)的發(fā)展,光電探測(cè)系統(tǒng)的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,因而對(duì)其敏感元件光電探測(cè)器的研究越來(lái)越受到重視。一方面人們?cè)谘芯咳绾翁岣咛綔y(cè)器的性能,以便能對(duì)極微弱的信號(hào)進(jìn)行探測(cè),另一方面人們?cè)谘芯刻綔y(cè)器對(duì)強(qiáng)光信號(hào)的響應(yīng)情況。到目前為止人們對(duì)強(qiáng)激光輻照下各種探測(cè)器的光

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