基于Ⅲ-V族半導(dǎo)體材料的熱光伏電池研究進(jìn)展

【摘要】：部分Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體具有較窄的禁帶寬度,對紅外發(fā)射體的溫度要求較低,非常適宜制備熱光伏(TPV)電池。簡要介紹熱光伏系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu),討論了基于GaSb、InGaAsSb、InGaAs、InAsSbP幾種主要窄帶隙Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體的熱光伏電池的研究情況,對它們的制備方法和主要性能參數(shù)進(jìn)行了比較,分析了各自的優(yōu)缺點(diǎn),指出了我國熱光伏技術(shù)的發(fā)展趨勢。 【作者單位】： 大連理工大學(xué)物理與光電工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 熱光伏 Ⅲ-V族半導(dǎo)體 窄帶
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(60306001)
【分類號】：TM914.42
【正文快照】： 0引言熱光伏發(fā)電技術(shù)(TPV)是將高溫?zé)岚l(fā)射體發(fā)出的紅外輻射能通過半導(dǎo)體光伏電池直接轉(zhuǎn)換成電能的技術(shù)。與傳統(tǒng)光伏發(fā)電系統(tǒng)相比,熱光伏發(fā)電系統(tǒng)具有如下優(yōu)點(diǎn):①不需要太陽光;②理論效率較高,重量輕;③無機(jī)械結(jié)構(gòu),可靠性高。早在1956年,美國麻省理工大學(xué)(MIT)的H.H.Kolm博士[1

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