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短脈沖光在光伏光折變晶體中寫入和擦除光折變光柵理論研究

來源:論文學術網
時間:2024-08-19 03:19:00
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短脈沖光在光伏光折變晶體中寫入和擦除光折變光柵理論研究【摘要】:利用GC Valley的準連續(xù)光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脈沖激光(納秒ns量級)在光伏光折變材料LiN

【摘要】:利用GC Valley的準連續(xù)光(Quasi-cw)近似模型,研究了短脈沖激光(納秒ns量級)在光伏光折變材料LiNbO3晶體中寫入和擦除光折變光柵的過程,給出了空間電荷場隨時間變化的表達式.理論研究表明,空間電荷場的形成和擦除與兩個時間參量有關,在考慮或者不考慮光生伏打效應兩種情況下,這兩個參量隨擦除光強的變化有基本相同的變化規(guī)律,光柵的寫入和擦除有相同的結果.同樣,擦除一個光柵所需的光能量在兩種情況下也有相同的結果.因此,在短脈沖光入射光折變晶體材料情況下,考慮光生伏打效應與不考慮光伏效應,對短脈沖光在光折變LiNbO3晶體中寫入和擦除光柵基本沒有影響. 【作者單位】: 聊城大學物理科學與信息工程學院;上海大學理學院物理系;
【關鍵詞】非線性光學 光折變效應 光伏效應 光柵 準連續(xù)光近似 空間電荷場
【基金】:國家自然科學基金(60377017、60571062) 上海市重點學科基金(T0104) 聊城大學科研基金(X061017)資助
【分類號】:O437
【正文快照】: 0引言近年來短脈沖光與光折變材料的相互作用一直是很多學者研究的熱點[1-13],G C Valley在1983年提出的準連續(xù)光(Quasi-cw)和瞬態(tài)(Instantaneous)脈沖光模型[2]被很多學者采用.在Valley的模型中沒有考慮光生伏打效應的影響,但光伏效應在某些材料中是確實存在的,其中最常用的

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