界面缺陷態(tài)密度與襯底電阻率取值對硅異質(zhì)結(jié)光伏電池性能的影響

【摘要】：在異質(zhì)結(jié)前界面缺陷態(tài)密度Dit1和異質(zhì)結(jié)背界面缺陷態(tài)密度Dit2均取不同值時(shí),對p型單晶硅(c-Si(p))為襯底的硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的襯底電阻率ρ與電池性能的關(guān)系進(jìn)行了數(shù)值研究.結(jié)果表明:襯底電阻率的最優(yōu)值ρop取決于前界面缺陷態(tài)密度Dit1,且ρop隨著Dit1的增大而增大;當(dāng)ρρop時(shí),背界面缺陷態(tài)密度Dit2對襯底電阻率的可取值范圍具有較大影響,Dit2越大襯底電阻率的可取值范圍越小. 【作者單位】： 寧波大學(xué)光學(xué)與光電子技術(shù)研究所;江蘇大學(xué)光信息科學(xué)與技術(shù)系;常州億晶光電科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 硅異質(zhì)結(jié)太陽電池 襯底電阻率 c-Si(p)/a-Si H界面缺陷
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:60977048) 浙江省“錢江人才計(jì)劃”(批準(zhǔn)號:2007R10015) 寧波市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(批準(zhǔn)號:2007A22006) 寧波大學(xué)王寬成幸?；鹳Y助的課題~~
【分類號】：TM914.4
【正文快照】： 1.引言對于以p型單晶硅為襯底的硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽電池,異質(zhì)結(jié)界面特性對電池性能有顯著的影響[1,2].如襯底電阻率可變時(shí)異質(zhì)結(jié)界面態(tài)對太陽電池性能的作用與襯底p型單晶硅(c-Si(p))層耗盡區(qū)(SCR)厚度的變化有關(guān)[3].然而,在異質(zhì)結(jié)界面態(tài)與太陽電池性能的關(guān)系中,對c-Si(p)襯底

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