第12屆中國(guó)光伏大會(huì)暨國(guó)際光伏展覽會(huì)優(yōu)秀論文選登(八) 超高濃度鈦摻雜硅薄膜的制備及光電特性研究

【摘要】：將磁控濺射和熱絲化學(xué)氣相沉積相結(jié)合,制備出超高濃度鈦摻雜的氫化非晶硅薄膜。通過(guò)光發(fā)射譜(OES)分析了熱絲加熱前后直流濺射輝光特性,結(jié)果表明熱絲加熱與否對(duì)直流濺射過(guò)程的影響不大。俄歇電子能譜顯示鈦在薄膜中是均勻分布的,改變磁控濺射的功率可控制薄膜中鈦的含量,薄膜在可見(jiàn)和紅外光的吸收隨鈦濃度的增加而顯著增強(qiáng)。摻鈦非晶硅薄膜仍表現(xiàn)出半導(dǎo)體特性,電阻率隨著溫度的降低而提高,滿足變程跳躍電導(dǎo)輸運(yùn)機(jī)制。采用激光熔融(PLM)對(duì)薄膜進(jìn)行退火,薄膜晶化率達(dá)50%以上。晶化的摻鈦硅薄膜仍保持較高的可見(jiàn)-紅外波段的光吸收。 【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院研究生院;
【關(guān)鍵詞】： 硅薄膜 超高濃度鈦摻雜 熱絲化學(xué)氣相沉積
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃,基于寬光譜利用的新型硅基薄膜吸收材料的基礎(chǔ)研究(2011CBA00705)
【分類號(hào)】：TM914.4;TN304
【正文快照】： 一引言中間帶太陽(yáng)電池作為低成本、高效率的新概念光伏器件[1～4],目前得到了廣泛關(guān)注。在硅中形成中間帶的主要途徑之一,是引入濃度超過(guò)Mott極限(1019cm3)的深能級(jí)雜質(zhì)(如鈦)[4]。由于摻雜濃度遠(yuǎn)高于摻雜元素在硅中的固溶度,因此不能通過(guò)常規(guī)的擴(kuò)散方法來(lái)?yè)诫s。目前有關(guān)文

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