氫氟酸腐蝕對(duì)α-Fe_2O_3薄膜光解水電極光電化學(xué)性質(zhì)的影響（英文）

【摘要】：使用溶膠-凝膠法制備了α-Fe2O3薄膜,研究了氫氟酸腐蝕薄膜表面對(duì)其光電化學(xué)性質(zhì)的影響.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),薄膜表面的孔洞和間隙隨著氫氟酸浸蝕時(shí)間的增長(zhǎng)而發(fā)生變化.氫氟酸浸蝕5 min,α-Fe2O3電極的光電流降低;隨后隨浸蝕時(shí)間增加而迅速增加;當(dāng)浸蝕時(shí)間大于15 min時(shí),其光電流再次下降,但對(duì)浸蝕過的樣品再次退火可以使光電流大幅增加.通過電化學(xué)交流阻抗譜、拉曼和X射線光電子能譜分析,提出了兩個(gè)影響光電流的因素:氫氟酸表面浸蝕造成薄膜表面的多孔性和結(jié)晶度降低.為此,通過示意圖解釋了結(jié)合浸蝕和退火后處理兩個(gè)步驟來增強(qiáng)α-Fe2O3薄膜光解水電極光電活性的原理.相對(duì)于初始的α-Fe2O3電極,浸蝕并且再退火處理后,其光電性質(zhì)更加穩(wěn)定. 【作者單位】： 蘇州大學(xué)物理與光電·能源學(xué)部 江蘇省重點(diǎn)薄膜實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： α-FeO光電極 表面處理 光電化學(xué)性質(zhì)
【基金】：supported by the National Natural Science Foundation of China(91233109) Project Funded by the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions,China~~
【分類號(hào)】：O646.54
【正文快照】： 1 Introduction Since Fujishima and Honda1reported on the photoelectro-chemical(PEC)water splitting using TiO2semiconductor pho-toanode in 1972,solar hydrogen production by water splittingfrom semiconductors has been considered one of the best waysto conv

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