激光誘導(dǎo)晶化法制備太陽能電池納米硅薄膜

【摘要】：非晶硅(a-si)薄膜太陽電池比起晶體硅太陽電池有諸多優(yōu)勢(shì)。但是同時(shí),a-si的缺點(diǎn)也是很明顯的,主要就是初始光電轉(zhuǎn)換效率較低,穩(wěn)定性較差.為此,我們?cè)赼-si薄膜的基礎(chǔ)上引入再結(jié)晶技術(shù),利用激光誘導(dǎo)晶化的方法將沉積好的a-si薄膜通過退火轉(zhuǎn)變?yōu)殚L(zhǎng)程有序的納米硅(nc-si)薄膜。他具有很好的溫度穩(wěn)定性,能在高溫下穩(wěn)定工作,并且反向漏電流很小,在nA數(shù)量級(jí)。nc-si材料的禁帶寬度為1.7eV,非常接近單晶硅的禁帶寬度(1.12eV),這也是他的優(yōu)點(diǎn)之一。同時(shí)nc-si薄膜太陽電池的電子遷移率也接近單晶硅薄膜太陽電池,比非晶硅薄膜太陽電池要高1～2個(gè)數(shù)量級(jí)。國(guó)內(nèi)外學(xué)者通過理論分析,得出納米硅薄膜太陽電池的理論轉(zhuǎn)換效率可達(dá)31.7%[1]。 【作者單位】：上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 另外,激光誘導(dǎo)晶化法主要是利用瞬間激光脈沖產(chǎn)生的高能量入射非晶硅薄膜表面,僅在薄膜表層產(chǎn)生熱能效應(yīng),使非晶硅薄膜在瞬間達(dá)到1000℃左右,從而實(shí)現(xiàn)非晶硅向微晶硅的轉(zhuǎn)變[2]。在此過程中,激光脈沖的瞬間能量被非晶硅薄膜吸收并轉(zhuǎn)化為相變能,因此不會(huì)有過多的熱能傳導(dǎo)到薄膜

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