熱處理對(duì)太陽(yáng)能級(jí)直拉單晶硅氧沉淀的影響

【摘要】：利用傅立葉紅外光譜議,通過(guò)單步退火和兩步退火的方法,研究了太陽(yáng)能級(jí)直拉單晶硅在不同氣氛下熱處理對(duì)其氧沉淀的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,在Ar氣氛下進(jìn)行單步退火處理,太陽(yáng)能級(jí)直拉單晶硅片基本上不會(huì)產(chǎn)生氧沉淀。而經(jīng)過(guò)兩步退火處理后,則有氧沉淀的產(chǎn)生。而在N2氣氛的下熱處理,在單步退火過(guò)程中,隨著退火溫度的升高,硅片氧沉淀增加兩步退火處理時(shí),隨著后處理溫度的升高,硅片的氧沉淀呈現(xiàn)出先增加后減少的趨勢(shì)。 【作者單位】：安徽省機(jī)械工業(yè)設(shè)計(jì)院
【關(guān)鍵詞】：太陽(yáng)能電池 熱處理 氧沉淀
【分類號(hào)】：TN304.12
【正文快照】： 引言世界能源危機(jī)促進(jìn)了光伏市場(chǎng)的發(fā)展，一些發(fā)達(dá)國(guó)家紛紛制定了發(fā)展包括太陽(yáng)能電池在內(nèi)的可再生能源計(jì)劃。太陽(yáng)能作為一種清潔無(wú)污染的能源，發(fā)展前景非常廣闊。單晶硅太陽(yáng)能電池在國(guó)際光伏市場(chǎng)上長(zhǎng)期占據(jù)主導(dǎo)地位，與晶體硅太陽(yáng)電池從技術(shù)、工藝上講都最為成熟，產(chǎn)量也最

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