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低能帶隙共軛高分子作為聚合物太陽能電池材料的合成與研究

來源:論文學(xué)術(shù)網(wǎng)
時間:2024-08-18 22:12:35
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低能帶隙共軛高分子作為聚合物太陽能電池材料的合成與研究【摘要】:本論文首先采用電子給體-受體交替共聚的策略,選擇3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)為電子給體單元,1,4,5,8-萘四

【摘要】: 本論文首先采用電子給體-受體交替共聚的策略,選擇3,4-乙撐二氧噻吩(EDOT)為電子給體單元,1,4,5,8-萘四甲酸二酰亞胺(NBI)的衍生物為電子受體單元,選用Stille偶聯(lián)聚合的方法,設(shè)計(jì)并成功合成出了低能帶隙的交替共聚高分子P1。其中,成功合成了重要單體2,5-二(三丁基錫)-3,4-乙撐二氧噻吩(2)并解決了其難以提純的問題,完成了1,4,5,8-萘四甲酸二酐(NBA)的溴化和酰胺化反應(yīng),以及兩個單體的Stille偶聯(lián)聚合反應(yīng),最后得到了分子量適中的目標(biāo)共聚物P1;成功合成出了單體2-三丁基錫-3,4-乙撐二氧噻吩(1),并實(shí)現(xiàn)了其與電子受體單元的偶聯(lián)反應(yīng),得到三聚體bis-EDOT-NBI;利用1H NMR、13C NMR、質(zhì)譜和元素分析對中間體、單體、三聚體及共聚物P1的結(jié)構(gòu)做了表征,證明得到了目標(biāo)化合物,并且純度較高。紫外吸收光譜顯示三聚體bis-EDOT-NBI在540 nm有最大吸收峰,通過吸收起始位置估算其光學(xué)能帶隙為1.99 eV。對共聚物P1的熱學(xué)性能、光學(xué)性能和電學(xué)性能做了表征,TGA測試顯示其熱分解溫度Td為440℃,顯示該材料具有良好的熱穩(wěn)定性;溶液紫外吸收光譜顯示其在400到750 nm之間有較大吸收,由其固體紫外吸收起始位置估算其光學(xué)能帶隙為1.75 eV,屬于低能帶隙范疇;循環(huán)伏安曲線得到其電子親和勢EA (LUMO能級)值為3.90 eV,離子勢Ip (HOMO能級)值為5.65 eV,均為同類聚合物中較高者。由共聚物較低的光學(xué)能帶隙和較寬泛的光譜吸收推斷其在太陽能電池材料以及其他光電器件中具有很大的應(yīng)用前景。 本論文第二部分在上一步工作的基礎(chǔ)上,成功合成出重要單體2,5-二溴-3,4-乙撐二氧噻吩(6)并使其參與共聚,用Stille偶聯(lián)聚合的方法制備出了無規(guī)共聚高分子P2。并利用1H NMR、13C NMR和元素分析對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,證明得到的目標(biāo)共聚物產(chǎn)物P2純度很高,用GPC分析了其分子量。對無規(guī)共聚物P2的熱學(xué)性能、光學(xué)性能和電學(xué)性能做了表征。其熱分解溫度Td為420℃,顯示該材料具有良好的熱穩(wěn)定性;溶液紫外吸收光譜顯示其在500到900 nm之間有較大吸收,由其固體薄膜紫外吸收起始位置估算其光學(xué)能帶隙為1.38 eV,屬于低能帶隙范疇;循環(huán)伏安曲線得到其電子親和勢EA (LUMO能級)值為3.84 eV,離子勢Ip (HOMO能級)值為5.22 eV,均為同類聚合物中較高者。由共聚物較低的光學(xué)能帶隙和較寬泛的光譜吸收推測其在太陽能電池材料以及其他光電器件中具有很大的應(yīng)用前景。此外,用試驗(yàn)驗(yàn)證了單體(6)固態(tài)聚合的現(xiàn)象,得到了藍(lán)黑色導(dǎo)電高分子聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)。 【關(guān)鍵詞】:低能帶隙 共軛高分子 乙撐二氧噻吩 萘四甲酸二酰亞胺 太陽能電池
【學(xué)位授予單位】:上海交通大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號】:O631.3
【目錄】:
  • 摘要4-6
  • ABSTRACT6-8
  • 第一章 緒論8-26
  • 1.1 前言8-9
  • 1.2 聚合物太陽能電池的研究歷史9-11
  • 1.3 有機(jī)太陽能電池器件11-15
  • 1.3.1 有機(jī)太陽能電池材料11-12
  • 1.3.2 太陽能電池器件的制備工藝12-13
  • 1.3.3 有機(jī)太陽能電池器件的結(jié)構(gòu)13-15
  • 1.4 低能帶隙聚合物分類15-25
  • 1.4.1 聚噻吩類15-17
  • 1.4.2 聚(3,4-乙撐二氧噻吩)(PEDOT)17
  • 1.4.3 聚異苯并噻吩(PITN)17-18
  • 1.4.4 基于苯并噻吩ITN 的共聚物18-19
  • 1.4.5 基于苯并噻二唑、吡咯和噻吩的共聚物,PTPTB19-21
  • 1.4.6 基于噻吩、苯并噻二唑或者苯并二(噻二唑)的共聚物21-22
  • 1.4.7 基于噻吩并吡嗪的共聚物,PTP22-23
  • 1.4.8 基于聚芴的共聚物23-25
  • 1.5 本論文的主要工作和創(chuàng)新25-26
  • 第二章 3,4-乙撐二氧噻吩和萘四甲酸二酰亞胺的交替共聚共軛高分子的合成及光學(xué)性能、電學(xué)性能表征26-47
  • 2.1 引言26
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)部分26-35
  • 2.2.1 試劑與儀器26-28
  • 2.2.2 目標(biāo)化合物的制備和表征28-35
  • 2.3 結(jié)果與討論35-45
  • 2.3.1 合成與表征35-39
  • 2.3.2 熱性能39-40
  • 2.3.3 光學(xué)性能40-43
  • 2.3.4 電學(xué)性能43-45
  • 2.4 結(jié)論45-47
  • 第三章 3,4-乙撐二氧噻吩和萘四甲酸二酰亞胺的無規(guī)共聚共軛高分子的合成及光學(xué)性能、電學(xué)性能表征47-61
  • 3.1 引言47-48
  • 3.2 實(shí)驗(yàn)部分48-52
  • 3.2.1 試劑與儀器48-49
  • 3.2.2 目標(biāo)化合物的制備和表征49-52
  • 3.3 結(jié)果與討論52-60
  • 3.3.1 合成與表征52-55
  • 3.3.2 熱性能55-56
  • 3.3.3 光學(xué)性能56-58
  • 3.3.4 電學(xué)性能58-60
  • 3.4 結(jié)論60-61
  • 第四章 結(jié)論61-62
  • 參考文獻(xiàn)62-70
  • 附錄70-73
  • 致謝73-76
  • 上海交通大學(xué)碩士學(xué)位論文答辯決議書76


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